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QCET模型的最大長度之期後誤差估計第二部份:模擬 = Maximum ...

國立高雄大學應用數學系碩士班

QCET模型的最大長度之期後誤差估計第二部份:模擬 = Maximum Norm A Posteriori Error Estimate for the Quantum-Corrected Energy Transport Model Part II: Simulation

紀錄類型:	書目-語言資料,印刷品 : 單行本
並列題名:	Maximum Norm A Posteriori Error Estimate for the Quantum-Corrected Energy Transport Model Part II: Simulation
作者:	鄭健志,
其他團體作者:	國立高雄大學
出版地:	[高雄市]
出版者:	撰者;
出版年:	民99[2010]
面頁冊數:	60面圖，表 : 30公分;
標題:	量子校正的能量運輸模型
標題:	QCET model
電子資源:	http://handle.ncl.edu.tw/11296/ndltd/96609155800913280367
摘要註:	這個量子校正的能量運輸模型是由七條自身伴隨的非線性的偏微分方程式所組成，它所探討的是奈米導體裝置中，電子流和電洞流的穩定性，能量轉換的穩定性，再加上古典電位能和量子電位能的穩定性。我們引用一套期後誤差估計的方法在我們的模型上，這個誤差估計的方法能幫助我們在未來網格點適應性加切時，能當作為誤差指標。我們在一維二極管模型問題的期後誤差估計數值試驗，已經取得7個很好的誤差指標對於QCET偏微分方程模型。 The quantum-corrected energy transport (QCET) model consisting of seven self-adjoint nonlinear PDEs describes the steady state of electron and hole flows, their energy transport, and classical and quantum potentials within a nano-scale semiconductor device. We develop a second-order maximum norm a posteriori error estimate proposed by Kopteva [11] for the QCET which after scaling involves the scaled Debye length, intrinsic carrier density, Planck constant, and thermal conductivity as the singular perturbation parameters. This estimate can be used as an error indicator for the refinement process in an adaptive algorithm. We present explicit formulas for computing the error indicators which are indispensable for the adaptive computations of the semiconductor device simulation for advanced nano-devices. Our numerical experiments on the a posteriori error estimation for the 1D diode model problem have shown good results of the proposed error indicators for all seven PDEs of the QCET model.

QCET模型的最大長度之期後誤差估計第二部份:模擬 = Maximum Norm A Posteriori Error Estimate for the Quantum-Corrected Energy Transport Model Part II: Simulation
鄭, 健志

QCET模型的最大長度之期後誤差估計第二部份:模擬 = Maximum Norm A Posteriori Error Estimate for the Quantum-Corrected Energy Transport Model Part II: Simulation / 鄭健志撰 - [高雄市] : 撰者, 民99[2010]. - 60面 ; 圖，表 ; 30公分.
參考書目：面.
量子校正的能量運輸模型QCET model

QCET模型的最大長度之期後誤差估計第二部份:模擬 = Maximum Norm A Posteriori Error Estimate for the Quantum-Corrected Energy Transport Model Part II: Simulation
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200 1 $a QCET模型的最大長度之期後誤差估計第二部份:模擬 $d Maximum Norm A Posteriori Error Estimate for the Quantum-Corrected Energy Transport Model Part II: Simulation $f 鄭健志撰
210 $a [高雄市] $c 撰者 $d 民99[2010]
215 0 $a 60面 $c 圖，表 $d 30公分
314 $a 指導教授：劉晉良
320 $a 參考書目：面
328 $a 碩士論文--國立高雄大學應用數學系碩士班
330 $a 這個量子校正的能量運輸模型是由七條自身伴隨的非線性的偏微分方程式所組成，它所探討的是奈米導體裝置中，電子流和電洞流的穩定性，能量轉換的穩定性，再加上古典電位能和量子電位能的穩定性。我們引用一套期後誤差估計的方法在我們的模型上，這個誤差估計的方法能幫助我們在未來網格點適應性加切時，能當作為誤差指標。我們在一維二極管模型問題的期後誤差估計數值試驗，已經取得7個很好的誤差指標對於QCET偏微分方程模型。 The quantum-corrected energy transport (QCET) model consisting of seven self-adjoint nonlinear PDEs describes the steady state of electron and hole flows, their energy transport, and classical and quantum potentials within a nano-scale semiconductor device. We develop a second-order maximum norm a posteriori error estimate proposed by Kopteva [11] for the QCET which after scaling involves the scaled Debye length, intrinsic carrier density, Planck constant, and thermal conductivity as the singular perturbation parameters. This estimate can be used as an error indicator for the refinement process in an adaptive algorithm. We present explicit formulas for computing the error indicators which are indispensable for the adaptive computations of the semiconductor device simulation for advanced nano-devices. Our numerical experiments on the a posteriori error estimation for the 1D diode model problem have shown good results of the proposed error indicators for all seven PDEs of the QCET model.
510 1 $a Maximum Norm A Posteriori Error Estimate for the Quantum-Corrected Energy Transport Model Part II: Simulation
610 0 $a 量子校正的能量運輸模型 $a 期後誤差估計 $a 適應性加切 $a 誤差指標
610 1 $a QCET model $a posteriori error estimate $a error indicator
681 $a 008M/0019 $b 462101 8724 $v 2007年版
700 1 $a 鄭 $b 健志 $4 撰 $3 483207
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