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非拋物型能帶對量子校正的能量運輸模型中之能量鬆弛之影響第二部份:模擬 =...

任家進

非拋物型能帶對量子校正的能量運輸模型中之能量鬆弛之影響第二部份:模擬 = Non-Parabolic Band Effects on Energy Relaxation for the Quantum-Corrected Energy Transport Model Part II : simulation

紀錄類型:	書目-語言資料,印刷品 : 單行本
並列題名:	Non-Parabolic Band Effects on Energy Relaxation for the Quantum-Corrected Energy Transport Model Part II : simulation
作者:	任家進,
其他團體作者:	國立高雄大學
出版地:	[高雄市]
出版者:	撰者;
出版年:	民99[2010]
面頁冊數:	47面圖，表 : 30公分;
標題:	量子校正
標題:	quantum
電子資源:	http://handle.ncl.edu.tw/11296/ndltd/68507661962138816324
摘要註:	量子校正的能量運輸模型是由描述穩定狀態中電子和電洞流的七條非線性對稱的偏微分方程式所組成，它們的能量運輸，古典和量子位能是在一個等比縮放的奈米半導體元件中產生。我們延伸量子校正的能量運輸模型中包含非拋物線型能帶結構之電子與電洞的能量鬆弛項。我們參考Degond等人的論文得到我們詳細的量子校正的能量傳輸模型的能量鬆弛項公式。在數值結果說明了在拋物型能帶中電子與電洞的最大溫度大約3500K，非拋物型能帶大約1300K。 The quantum-corrected energy transport (QCET) model consisting of seven self-adjoint nonlinear PDEs describes the steady state of electron and hole flows, their energy transport, and classical and quantum potentials within a nano-scale semiconductor device. We extend the energy relaxation terms of the QCET model to include the non-parabolic band structure for both electron and hole. We give explicit formulas of the energy relaxation terms proposed by Degond et al. in [14] for our QCET model. Numerical results have shown that the electron and hole temperatures reduce from about 3500 K for the parabolic case to about 1300 K for the non-parabolic case.

非拋物型能帶對量子校正的能量運輸模型中之能量鬆弛之影響第二部份:模擬 = Non-Parabolic Band Effects on Energy Relaxation for the Quantum-Corrected Energy Transport Model Part II : simulation
任, 家進

非拋物型能帶對量子校正的能量運輸模型中之能量鬆弛之影響第二部份:模擬 = Non-Parabolic Band Effects on Energy Relaxation for the Quantum-Corrected Energy Transport Model Part II : simulation / 任家進撰 - [高雄市] : 撰者, 民99[2010]. - 47面 ; 圖，表 ; 30公分.
參考書目：面.
量子校正quantum

非拋物型能帶對量子校正的能量運輸模型中之能量鬆弛之影響第二部份:模擬 = Non-Parabolic Band Effects on Energy Relaxation for the Quantum-Corrected Energy Transport Model Part II : simulation
LDR:02510nam0a2200277 450 001 273071
005 20170214094113.0
009 273071
010 0 $b 精裝
010 0 $b 平裝
100 $a 20170214y2010 k y0chiy05 e
101 1 $a eng $d chi $d eng
102 $a tw
105 $a ak am 000yy
200 1 $a 非拋物型能帶對量子校正的能量運輸模型中之能量鬆弛之影響第二部份:模擬 $d Non-Parabolic Band Effects on Energy Relaxation for the Quantum-Corrected Energy Transport Model Part II : simulation $f 任家進撰
210 $a [高雄市] $c 撰者 $d 民99[2010]
215 0 $a 47面 $c 圖，表 $d 30公分
314 $a 指導教授：劉晉良
320 $a 參考書目：面
328 $a 碩士論文--國立高雄大學應用數學系碩士班
330 $a 量子校正的能量運輸模型是由描述穩定狀態中電子和電洞流的七條非線性對稱的偏微分方程式所組成，它們的能量運輸，古典和量子位能是在一個等比縮放的奈米半導體元件中產生。我們延伸量子校正的能量運輸模型中包含非拋物線型能帶結構之電子與電洞的能量鬆弛項。我們參考Degond等人的論文得到我們詳細的量子校正的能量傳輸模型的能量鬆弛項公式。在數值結果說明了在拋物型能帶中電子與電洞的最大溫度大約3500K，非拋物型能帶大約1300K。 The quantum-corrected energy transport (QCET) model consisting of seven self-adjoint nonlinear PDEs describes the steady state of electron and hole flows, their energy transport, and classical and quantum potentials within a nano-scale semiconductor device. We extend the energy relaxation terms of the QCET model to include the non-parabolic band structure for both electron and hole. We give explicit formulas of the energy relaxation terms proposed by Degond et al. in [14] for our QCET model. Numerical results have shown that the electron and hole temperatures reduce from about 3500 K for the parabolic case to about 1300 K for the non-parabolic case.
510 1 $a Non-Parabolic Band Effects on Energy Relaxation for the Quantum-Corrected Energy Transport Model Part II : simulation
610 0 $a 量子校正 $a 半導體 $a 能量鬆弛 $a 非拋物型能帶結構
610 1 $a quantum $a semiconductor $a energy relaxation $a non-parabolic band structure
681 $a 008M/0019 $b 462101 2233 $v 2007年版
700 1 $a 任 $b 家進 $4 撰 $3 483209
712 0 2 $a 國立高雄大學 $b 應用數學系碩士班 $3 166142
801 0 $a tw $b 國立高雄大學 $c 20101221 $g CCR
856 7 $z 電子資源 $2 http $u http://handle.ncl.edu.tw/11296/ndltd/68507661962138816324