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熱蒸鍍法氧化鋅二極體製作之研究 = Fabrication of ZnO...

劉啟賓

熱蒸鍍法氧化鋅二極體製作之研究 = Fabrication of ZnO p-n diode by thermal evaporation

紀錄類型:	書目-語言資料,印刷品 : 單行本
並列題名:	Fabrication of ZnO p-n diode by thermal evaporation
作者:	劉啟賓,
其他團體作者:	國立高雄大學
出版地:	[高雄市]
出版者:	撰者;
出版年:	民100
面頁冊數:	79葉圖，表格 : 30公分;
標題:	氧化鋅
標題:	Zinc Oxide(ZnO)
電子資源:	http://handle.ncl.edu.tw/11296/ndltd/37042660330825958751
附註:	參考書目：葉65-68
摘要註:	本論文研究以熱蒸鍍法沉積氮化鋅薄膜，搭配熱氧化處理製作摻氮的p 型氧化鋅薄膜，再搭配濺鍍法或噴霧法完成之n 型氧化鋅，製作成氧化鋅p-n 二極體。進行光電特性及光響應度量測，探討在不同結構及製程熱氧化處理溫對二極體的關係。在各結構中，利用此法配合以噴霧法完成之氧化鋅p-n 二極體，在熱處理550℃時，於頻譜光響應度有陡峭的截止波長與較低的暗電流，但在熱處理450℃時，通斥比為最好約三個數量級。 The p-type nitrogen-doped zinc oxide thin films were prepared by the thermal oxidation of thermal evaporated zinc nitride powder. Combing with the n-type zinc oxide prepared by sputtering or spraying, the zinc oxide p-n diode can be fabricated. The stacked structures with different thermal treatment temperature were accomplished. The current-voltage and spectral responsivity behaviors were investigated. The diode with spraying n-type zinc oxide followed by 550℃ thermal treatment shows the sharp cutoff wavelength in the spectral responsivity and less reverse biased dark current, but the diode by 450℃ thermal treatment shows the highest rejection ratio around three orders of magnitude.

熱蒸鍍法氧化鋅二極體製作之研究 = Fabrication of ZnO p-n diode by thermal evaporation
劉, 啟賓

熱蒸鍍法氧化鋅二極體製作之研究 = Fabrication of ZnO p-n diode by thermal evaporation / 劉啟賓撰 - [高雄市] : 撰者, 民100. - 79葉 ; 圖，表格 ; 30公分.
參考書目：葉65-68.
氧化鋅Zinc Oxide(ZnO)

熱蒸鍍法氧化鋅二極體製作之研究 = Fabrication of ZnO p-n diode by thermal evaporation
LDR:02351nam0a2200277 450 001 300460
005 20170214100627.0
009 300460
010 0 $b 精裝
010 0 $b 平裝
100 $a 20170214y2011 m y0chiy50 e
101 1 $a chi $d chi $d eng
102 $a tw
105 $a ak am 000yy
200 1 $a 熱蒸鍍法氧化鋅二極體製作之研究 $d Fabrication of ZnO p-n diode by thermal evaporation $z eng $f 劉啟賓撰
210 $a [高雄市] $c 撰者 $d 民100
215 0 $a 79葉 $c 圖，表格 $d 30公分
300 $a 參考書目：葉65-68
314 $a 指導教授：藍文厚博士，郭馨徽博士
328 $a 碩士論文--國立高雄大學電機工程學系碩士班
330 $a 本論文研究以熱蒸鍍法沉積氮化鋅薄膜，搭配熱氧化處理製作摻氮的p 型氧化鋅薄膜，再搭配濺鍍法或噴霧法完成之n 型氧化鋅，製作成氧化鋅p-n 二極體。進行光電特性及光響應度量測，探討在不同結構及製程熱氧化處理溫對二極體的關係。在各結構中，利用此法配合以噴霧法完成之氧化鋅p-n 二極體，在熱處理550℃時，於頻譜光響應度有陡峭的截止波長與較低的暗電流，但在熱處理450℃時，通斥比為最好約三個數量級。 The p-type nitrogen-doped zinc oxide thin films were prepared by the thermal oxidation of thermal evaporated zinc nitride powder. Combing with the n-type zinc oxide prepared by sputtering or spraying, the zinc oxide p-n diode can be fabricated. The stacked structures with different thermal treatment temperature were accomplished. The current-voltage and spectral responsivity behaviors were investigated. The diode with spraying n-type zinc oxide followed by 550℃ thermal treatment shows the sharp cutoff wavelength in the spectral responsivity and less reverse biased dark current, but the diode by 450℃ thermal treatment shows the highest rejection ratio around three orders of magnitude.
510 1 $a Fabrication of ZnO p-n diode by thermal evaporation $z eng
610 0 $a 氧化鋅 $a 氮化鋅 $a 熱蒸鍍 $a p-n二極體 $a 光響應度
610 1 $a Zinc Oxide(ZnO) $a Zinc Nitride(Zn3N2) $a Thermal Evaporator $a p-n diode $a Responsivity
681 $a 008M/0019 $b 542201 7233 $v 2007年版
700 1 $a 劉 $b 啟賓 $4 撰 $3 518851
712 0 2 $a 國立高雄大學 $b 電機工程學系碩士班 $3 166118
801 0 $a tw $b NUK $c 20111020 $g CCR
856 7 $z 電子資源 $2 http $u http://handle.ncl.edu.tw/11296/ndltd/37042660330825958751