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磁控濺鍍成長摻鋁氧化鋅薄膜之透明導電性研究 = The study of...

國立高雄大學應用物理學系碩士班

磁控濺鍍成長摻鋁氧化鋅薄膜之透明導電性研究 = The study of transparent conducting properties of Al-doped ZnO films by using a magnetron sputtering method

紀錄類型:	書目-語言資料,印刷品 : 單行本
並列題名:	The study of transparent conducting properties of Al-doped ZnO films by using a magnetron sputtering method
作者:	李忠諭,
其他團體作者:	國立高雄大學
出版地:	[高雄市]
出版者:	撰者;
出版年:	民100
面頁冊數:	110葉彩圖 : 30公分;
標題:	掺鋁氧化鋅
標題:	AZO
電子資源:	http://handle.ncl.edu.tw/11296/ndltd/14849762819975187917
附註:	參考書目：葉101-103
摘要註:	氧化鋅(ZnO)為寬能隙纖鋅礦結構的寬能隙半導體，在光電元件應用上，佔有不可或缺的地位。由於市場的關係，對於透明導電膜的需求量提高，因此許多研究積極開發新材料，因為AZO具有可與ITO相比擬的光電性質，且具有成本低、無毒性與在氫電漿中具有穩定性等優點，因此成為透明導電膜領域內可取代ITO的熱門材料之一。　　　本論文研究利用射頻磁控濺鍍法成長掺鋁氧化鋅(AZO)薄膜，探討固定濃度的AZO靶，改變不同製程條件在晶體結構、表面形貌、化學組態、光學性質與電性等物理性質方面的變化，希望能對於AZO薄膜的電性機制有所了解。　　　由X光繞射儀結果得知，所有AZO薄膜都是具有c軸優先取向的wurtzite結構，且具有高的可見光穿透率，利用Tauc’s的方式計算出其光學能隙，但是光學能隙變化並不完全與載子濃度變化相符合，因此得知Burstein-Moss effect與In-plane stress兩者對於光學能隙變化均具影響力。從Hall-effect measurement所量測到的結果與螢光光譜儀及X光光電子能譜相互做比對，可以見到載子濃度變化與缺陷數量的關係。 In this thesis, we report effect of change to a different process by a fixed AZO target on the crystal structural, surface morphological, optical, chemical composition and electrical. All of the film samples were deposited using the magnetron sputtering method. The aim of this work is to examine the possibility, as well as the origin of electrical in AZO films. All of the AZO films are highly c-axis-oriented wurtzite structures and high visible transmittance ( > 80% at = 400 - 700 nm). The option bandgap estimated by the Tauc’s plot. Changes in the optical band gap of AZO films is not entirely consistent with the carrier concentration. This result corresponds with the Burstein-Moss effect and In-plane stress. From Hall-effect measurement results by PhotoLuminance and X-ray photoelectron spectroscopy compared with each other, carrier concentration and the number of defects the relationship between.

磁控濺鍍成長摻鋁氧化鋅薄膜之透明導電性研究 = The study of transparent conducting properties of Al-doped ZnO films by using a magnetron sputtering method
李, 忠諭

磁控濺鍍成長摻鋁氧化鋅薄膜之透明導電性研究 = The study of transparent conducting properties of Al-doped ZnO films by using a magnetron sputtering method / 李忠諭撰 - [高雄市] : 撰者, 民100. - 110葉 ; 彩圖 ; 30公分.
參考書目：葉101-103.
掺鋁氧化鋅AZO

磁控濺鍍成長摻鋁氧化鋅薄膜之透明導電性研究 = The study of transparent conducting properties of Al-doped ZnO films by using a magnetron sputtering method
LDR:03319nam0a2200277 450 001 300486
005 20170214100147.0
009 300486
010 0 $b 精裝
010 0 $b 平裝
100 $a 20170214d2011 k y0chiy50 e
101 1 $a chi $d chi $d eng
102 $a tw
105 $a a am 000yy
200 1 $a 磁控濺鍍成長摻鋁氧化鋅薄膜之透明導電性研究 $d The study of transparent conducting properties of Al-doped ZnO films by using a magnetron sputtering method $z eng $f 李忠諭撰
210 $a [高雄市] $c 撰者 $d 民100
215 0 $a 110葉 $c 彩圖 $d 30公分
300 $a 參考書目：葉101-103
314 $a 指導教授：胡裕民博士
328 $a 碩士論文--國立高雄大學應用物理學系碩士班
330 $a 氧化鋅(ZnO)為寬能隙纖鋅礦結構的寬能隙半導體，在光電元件應用上，佔有不可或缺的地位。由於市場的關係，對於透明導電膜的需求量提高，因此許多研究積極開發新材料，因為AZO具有可與ITO相比擬的光電性質，且具有成本低、無毒性與在氫電漿中具有穩定性等優點，因此成為透明導電膜領域內可取代ITO的熱門材料之一。　　　本論文研究利用射頻磁控濺鍍法成長掺鋁氧化鋅(AZO)薄膜，探討固定濃度的AZO靶，改變不同製程條件在晶體結構、表面形貌、化學組態、光學性質與電性等物理性質方面的變化，希望能對於AZO薄膜的電性機制有所了解。　　　由X光繞射儀結果得知，所有AZO薄膜都是具有c軸優先取向的wurtzite結構，且具有高的可見光穿透率，利用Tauc’s的方式計算出其光學能隙，但是光學能隙變化並不完全與載子濃度變化相符合，因此得知Burstein-Moss effect與In-plane stress兩者對於光學能隙變化均具影響力。從Hall-effect measurement所量測到的結果與螢光光譜儀及X光光電子能譜相互做比對，可以見到載子濃度變化與缺陷數量的關係。 In this thesis, we report effect of change to a different process by a fixed AZO target on the crystal structural, surface morphological, optical, chemical composition and electrical. All of the film samples were deposited using the magnetron sputtering method. The aim of this work is to examine the possibility, as well as the origin of electrical in AZO films. All of the AZO films are highly c-axis-oriented wurtzite structures and high visible transmittance ( > 80% at = 400 - 700 nm). The option bandgap estimated by the Tauc’s plot. Changes in the optical band gap of AZO films is not entirely consistent with the carrier concentration. This result corresponds with the Burstein-Moss effect and In-plane stress. From Hall-effect measurement results by PhotoLuminance and X-ray photoelectron spectroscopy compared with each other, carrier concentration and the number of defects the relationship between.
510 1 $a The study of transparent conducting properties of Al-doped ZnO films by using a magnetron sputtering method $z eng
610 0 $a 掺鋁氧化鋅 $a 薄膜 $a 磁控濺鍍法 $a 電性
610 1 $a AZO $a film $a magnetron sputtering $a electrical
681 $a 008M/0019 $b 423203 4050 $v 2007年版
700 1 $a 李 $b 忠諭 $4 撰 $3 518877
712 0 2 $a 國立高雄大學 $b 應用物理學系碩士班 $3 353956
801 0 $a tw $b NUK $c 20111102 $g CCR
856 7 $z 電子資源 $2 http $u http://handle.ncl.edu.tw/11296/ndltd/14849762819975187917