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合適的廣義性指數方法解決量子校正能量運輸模型第二部分:模擬 = Gene...
~
卞鈺鈞
合適的廣義性指數方法解決量子校正能量運輸模型第二部分:模擬 = Generalized Exponentially Fitted Scheme for the Quantum-Corrected Transport Model Part II: Simulation
紀錄類型:
書目-語言資料,印刷品 : 單行本
並列題名:
Generalized Exponentially Fitted Scheme for the Quantum-Corrected Transport Model Part II: Simulation
作者:
卞鈺鈞,
其他團體作者:
國立高雄大學
出版地:
[高雄市]
出版者:
撰者;
出版年:
民100
面頁冊數:
58葉圖 : 30公分;
標題:
量子校正能量運輸模型
標題:
Exponentially Fitted Scheme
電子資源:
http://handle.ncl.edu.tw/11296/ndltd/75203535688183920557
附註:
參考書目:葉52-55
附註:
內容為英文
摘要註:
本論文是一個延續 徐瑋玲的論文在指數擬合有限元方法的量子校正能源運輸(QCET)模型,提出並分析。該 QCET 模型由七個非線性偏微分方程描述電子和孔流向半導體納米器件。該公式的離散新方法是專門推導出質量守恆和能量守恆方程。相對於標準 Scharfetter-Gummel 方法,新方法不涉及伯努利函數在離散系統。通過解決納米級二極管模型,新方法幾乎給出了與標準Scharfetter-Gummel 方法同樣的計算結果。 This thesis is a continuation of W.-L. Hsu’s thesis [16] in which anexponentially fitted finite element method for the quantum-correctedenergy transport (QCET) model is proposed and analyzed. The QCETmodel consists of seven nonlinear PDEs describing the electron andhole flows in semiconductor nano-devices. The discrete formulas ofthe new method are specifically derived for mass conservation and energyconservation equations. Compared with the standard Scharfetter-Gummel method, the new method does not involve the Bernoulli functionin the discrete systems. By solving a nano-scale diode model, it isshown that the new method almost gives the same numerical resultsas that obtained by the standard SG method.
合適的廣義性指數方法解決量子校正能量運輸模型第二部分:模擬 = Generalized Exponentially Fitted Scheme for the Quantum-Corrected Transport Model Part II: Simulation
卞, 鈺鈞
合適的廣義性指數方法解決量子校正能量運輸模型第二部分:模擬
= Generalized Exponentially Fitted Scheme for the Quantum-Corrected Transport Model Part II: Simulation / 卞鈺鈞撰 - [高雄市] : 撰者, 民100. - 58葉 ; 圖 ; 30公分.
參考書目:葉52-55內容為英文.
量子校正能量運輸模型Exponentially Fitted Scheme
合適的廣義性指數方法解決量子校正能量運輸模型第二部分:模擬 = Generalized Exponentially Fitted Scheme for the Quantum-Corrected Transport Model Part II: Simulation
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參考書目:葉52-55
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內容為英文
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指導教授:劉晉良
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碩士論文--國立高雄大學應用數學系碩士班
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本論文是一個延續 徐瑋玲的論文在指數擬合有限元方法的量子校正能源運輸(QCET)模型,提出並分析。該 QCET 模型由七個非線性偏微分方程描述電子和孔流向半導體納米器件。該公式的離散新方法是專門推導出質量守恆和能量守恆方程。相對於標準 Scharfetter-Gummel 方法,新方法不涉及伯努利函數在離散系統。通過解決納米級二極管模型,新方法幾乎給出了與標準Scharfetter-Gummel 方法同樣的計算結果。 This thesis is a continuation of W.-L. Hsu’s thesis [16] in which anexponentially fitted finite element method for the quantum-correctedenergy transport (QCET) model is proposed and analyzed. The QCETmodel consists of seven nonlinear PDEs describing the electron andhole flows in semiconductor nano-devices. The discrete formulas ofthe new method are specifically derived for mass conservation and energyconservation equations. Compared with the standard Scharfetter-Gummel method, the new method does not involve the Bernoulli functionin the discrete systems. By solving a nano-scale diode model, it isshown that the new method almost gives the same numerical resultsas that obtained by the standard SG method.
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310002135252
博碩士論文區(二樓)
不外借資料
學位論文
TH 008M/0019 462101 0088 2011
一般使用(Normal)
在架
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