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多介電層MIS光偵測器的製作及其光響應特性與研究 = Multi-die...

國立高雄大學電機工程學系碩士班

多介電層MIS光偵測器的製作及其光響應特性與研究 = Multi-dielectric MIS photo-detector fabrication and its photo-responsivity characteristics

紀錄類型:	書目-語言資料,印刷品 : 單行本
並列題名:	Multi-dielectric MIS photo-detector fabrication and its photo-responsivity characteristics
作者:	林裕堯,
其他團體作者:	國立高雄大學
出版地:	[高雄市]
出版者:	撰者;
出版年:	2012[民101]
面頁冊數:	66面圖，表格 : 30公分;
標題:	二氧化矽
標題:	SiO2
電子資源:	http://handle.ncl.edu.tw/11296/ndltd/54076732785255190551
附註:	參考書目：面55-56
摘要註:	本論文實驗利用電子束蒸鍍機(Electron beam evaporation machine) 蒸鍍SiO2/TiO2材料於p-type矽基板上，並應用於金屬-絕緣層-半導體（MIS）結構光偵測器元件之光電特性研究。MIS光偵測原理主要是主要利用矽半導體對光子的吸收而產生電子-電洞對，受界面電場影響下，在SiO2/TiO2薄膜與矽基板界面處產生電子遷移現象，而形成光電流。本論文中將利用I-V、C-V特性量測系統，討論對不同膜厚與製作條件下的MIS元件，光照下電流-電壓特性以及不同波段光響應度之光電特性研究，以利於未來製作光偵測器發展之參考。 In this paper, experiments evaporate SiO2/TiO2 thin films on p-type silicon(100) substrate by using electron beam evaporator,and we demonstrate the fabrication of an Al/TiO2/SiO2/Si MIS device. By using the absorption characteristic of silicon to generate electron-hole pairs which will induce photon current by the effect of electric field in the depletion region at the interface TiO2/SiO2 thin film and Si substrate. In addition, measure C-V , I-V and the responsivity of the Al/ TiO2/SiO2/Si MIS devices with different TiO2/SiO2 layers and thicknesses. These results will provide useful data for the development of Si-based photonic devices and narrow bandwidth photo-detectors in the future.

多介電層MIS光偵測器的製作及其光響應特性與研究 = Multi-dielectric MIS photo-detector fabrication and its photo-responsivity characteristics
林, 裕堯

多介電層MIS光偵測器的製作及其光響應特性與研究 = Multi-dielectric MIS photo-detector fabrication and its photo-responsivity characteristics / 林裕堯撰 - [高雄市] : 撰者, 2012[民101]. - 66面 ; 圖，表格 ; 30公分.
參考書目：面55-56.
二氧化矽SiO2

多介電層MIS光偵測器的製作及其光響應特性與研究 = Multi-dielectric MIS photo-detector fabrication and its photo-responsivity characteristics
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200 1 $a 多介電層MIS光偵測器的製作及其光響應特性與研究 $d Multi-dielectric MIS photo-detector fabrication and its photo-responsivity characteristics $z eng $f 林裕堯撰
210 $a [高雄市] $c 撰者 $d 2012[民101]
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314 $a 指導教授：施明昌博士
328 $a 碩士論文--國立高雄大學電機工程學系碩士班
330 $a 本論文實驗利用電子束蒸鍍機(Electron beam evaporation machine) 蒸鍍SiO2/TiO2材料於p-type矽基板上，並應用於金屬-絕緣層-半導體（MIS）結構光偵測器元件之光電特性研究。MIS光偵測原理主要是主要利用矽半導體對光子的吸收而產生電子-電洞對，受界面電場影響下，在SiO2/TiO2薄膜與矽基板界面處產生電子遷移現象，而形成光電流。本論文中將利用I-V、C-V特性量測系統，討論對不同膜厚與製作條件下的MIS元件，光照下電流-電壓特性以及不同波段光響應度之光電特性研究，以利於未來製作光偵測器發展之參考。 In this paper, experiments evaporate SiO2/TiO2 thin films on p-type silicon(100) substrate by using electron beam evaporator,and we demonstrate the fabrication of an Al/TiO2/SiO2/Si MIS device. By using the absorption characteristic of silicon to generate electron-hole pairs which will induce photon current by the effect of electric field in the depletion region at the interface TiO2/SiO2 thin film and Si substrate. In addition, measure C-V , I-V and the responsivity of the Al/ TiO2/SiO2/Si MIS devices with different TiO2/SiO2 layers and thicknesses. These results will provide useful data for the development of Si-based photonic devices and narrow bandwidth photo-detectors in the future.
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610 0 $a 二氧化矽 $a 二氧化鈦 $a 電子束蒸鍍機 $a 光偵測器 $a 光響應度
610 1 $a SiO2 $a TiO2 $a E-beam $a E-Gun Coater $a Photo-detectors $a Responsivity
681 $a 008M/0019 $b 542201 4434 $v 2007年版
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