CIGS/Si/Ge多接面堆疊式太陽能電池之理論計算與模擬 = Theo...
國立高雄大學應用物理學系碩士班

 

  • CIGS/Si/Ge多接面堆疊式太陽能電池之理論計算與模擬 = Theoretical calculation and simulation of CIGS/Si/Ge multi-junction tandem solar cells
  • 紀錄類型: 書目-語言資料,印刷品 : 單行本
    並列題名: Theoretical calculation and simulation of CIGS/Si/Ge multi-junction tandem solar cells
    作者: 陳彥宇,
    其他團體作者: 國立高雄大學
    出版地: 高雄市
    出版者: 國立高雄大學;
    出版年: 2013[民102]
    面頁冊數: 115葉圖,表格 : 30公分;
    標題: 多接面堆疊式太陽能電池
    標題: multi-junction tandem solar-cell
    電子資源: https://hdl.handle.net/11296/x9s89g
    附註: 107年11月1日公開
    附註: 參考書目:葉114-115
    摘要註: 本論文由半導體基本公式以推導太陽能電池模型中每一層的n-type與p-type中性區的少數載子濃度和電流密度分佈和模擬在太陽光全頻譜下照射,首先以CIGS為材料分析單接面太陽能電池特性,其轉換效率約29.5%。再來模擬雙接面的銅銦鎵硒/矽堆疊式太陽電池,上層厚度約0.745μm,基板厚度約為210μm,最佳轉換效率約38.5%。而在多接面銅銦鎵硒/矽/鍺堆疊式太陽能電池當CIGS能隙為1.4時計算出,上層材料厚度約0.44μm,中層材料厚度約57.8μm,基板厚度約255μm,有最佳轉換效率約47%。最後分析各種元件的特性參數,如摻雜濃度、少數載子生存期、表面復合速率等,對太陽能電池轉換效率的影響。 In this work, by using the basic equations of semiconductors, we calculate the space distribution of minority carrier density and current density in each layer quasi-neutral region of solar-cell devices with full solar spectrum. Firstly, we study the characteristics of single-junction solar cell with CIGS materials 29.5% of the solar cell conversion efficiency is obtained. Secondly, double-junction CIGS/Si tandem solar cells are simulated with top layer thickness of about 0.745μm, and substrate thickness of about 210μm. These solar cells are shown to have the maximum efficiency of about 38.5%. Thirdly, calculation of triple-junction CIGS/Si/Ge tandem solar cells, with top layer thickness of about 0.44μm, the middle layer thickness of 57.8μm, and the substrate thickness of about 255μm is shown to have the best conversion efficiency of about 47%. Finally, various physical parameters are simulated to study their effects on the solar cells conversion efficiency. These parameters include the diffusion density, minority carrier lifetime, and surfacerecombination velocity.
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  • 2 筆 • 頁數 1 •
 
310002827734 博碩士論文區(二樓) 不外借資料 學位論文 TH 008M/0019 423203 7503.1 2013 一般使用(Normal) 在架 0
310002827742 博碩士論文區(二樓) 不外借資料 學位論文 TH 008M/0019 423203 7503.1 2013 c.2 一般使用(Normal) 在架 0
  • 2 筆 • 頁數 1 •
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