SOG積體電容元件的製作及其特性研究 = The fabrication...
國立高雄大學電機工程學系碩士班

 

  • SOG積體電容元件的製作及其特性研究 = The fabrication and characteristics of SOG integrated capacitance
  • 紀錄類型: 書目-語言資料,印刷品 : 單行本
    並列題名: The fabrication and characteristics of SOG integrated capacitance
    作者: 蕭森宇,
    其他團體作者: 國立高雄大學
    出版地: [高雄市]
    出版者: 撰者;
    出版年: 2014[民103]
    面頁冊數: 56面圖,表 : 30公分;
    標題: 旋轉塗佈玻璃
    標題: SOG (spin on glass)
    電子資源: http://handle.ncl.edu.tw/11296/ndltd/05187700724241703487
    附註: 參考書目:面54-56
    附註: 103年12月16日公開
    摘要註: 隨著電子產品縮小化的驅勢,積體化被動元件如電阻、電感、和電容的需求越來越大,旋轉塗佈玻璃(SOG)材料是一種半導體常用的介電絕緣材料,可以使用塗佈製程以降低製作成本,且其介電特性也很穩定。本論文以研究SOG材料為介電層,在矽基板上製作積體化的薄膜電容。實驗中利用電子顯微鏡(SEM)研究不同烘烤溫度對SOG材料結構的影響以及利用C-V特性量測研究不同SOG製程參數對電容元件之電容特性的影響,由實驗結果得知,SOG烘烤的溫度420℃ 30分鐘可以穫得SOG介電常數3.8。本論文中也同時評估SOG積體化電容對於未來IC封裝製程的應用。 Integrated passive components such as resistors, inductors and capacitors are attracted interest to IC packaging industry for requirement of miniaturizing the size and weight of system assembly. In this paper, we demonstration the fabrication of an integrated capacitor by using SOG (spin on glass) as the insulating material which are expected to enhance the capacitor characteristics; especially to achieve high dielectric constant and to simply the process flow and cost. In this thesis we demonstrated the fabrication of an integrated capacitor using SOG as the dielectric material. The results of SOG dielectric layer characterization by using scanning electron microscopy (SEM), and capacitance-voltage (C-V) characteristic measurement were present. It shows that the relative dielectric constant of the SOG layer can achieve as high as 3.8 by annealed at 420 C0 for 30 minutes. In conclusion, the issues of applications of this integrated SOG capacitor to the development of advanced IC package industry were discussed.Keyword: SOG (spin on glass),E-beam or E-Gun Coater,Capacitance,Passive Components
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310002500109 博碩士論文區(二樓) 不外借資料 學位論文 TH 008M/0019 542201 4443.2 2014 一般使用(Normal) 在架 0
310002500117 博碩士論文區(二樓) 不外借資料 學位論文 TH 008M/0019 542201 4443.2 2014 c.2 一般使用(Normal) 在架 0
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