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磁控濺鍍法成長五氧化二鉭薄膜之電阻切換性質研究 = The Study ...

國立高雄大學應用物理學系碩士班

磁控濺鍍法成長五氧化二鉭薄膜之電阻切換性質研究 = The Study of Resistive Switching Properties of Tantalum Pentoxide Films Deposited by Magnetron Sputtering Method

紀錄類型:	書目-語言資料,印刷品 : 單行本
並列題名:	The Study of Resistive Switching Properties of Tantalum Pentoxide Films Deposited by Magnetron Sputtering Method
作者:	陳迺澐,
其他團體作者:	國立高雄大學
出版地:	高雄市
出版者:	國立高雄大學;
出版年:	2016[民105]
面頁冊數:	xiii，108葉圖，表 : 30公分;
標題:	五氧化二鉭
標題:	tantalum pentoxide
電子資源:	https://hdl.handle.net/11296/3mjx7m
附註:	110年12月1日公開
附註:	參考書目：葉103-107

磁控濺鍍法成長五氧化二鉭薄膜之電阻切換性質研究 = The Study of Resistive Switching Properties of Tantalum Pentoxide Films Deposited by Magnetron Sputtering Method
陳, 迺澐

磁控濺鍍法成長五氧化二鉭薄膜之電阻切換性質研究 = The Study of Resistive Switching Properties of Tantalum Pentoxide Films Deposited by Magnetron Sputtering Method / 陳迺澐撰 - 高雄市 : 國立高雄大學, 2016[民105]. - xiii，108葉 ; 圖，表 ; 30公分.
110年12月1日公開參考書目：葉103-107.
五氧化二鉭tantalum pentoxide

磁控濺鍍法成長五氧化二鉭薄膜之電阻切換性質研究 = The Study of Resistive Switching Properties of Tantalum Pentoxide Films Deposited by Magnetron Sputtering Method
LDR:01212pam0a2200265 450 001 484377
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200 1 $a 磁控濺鍍法成長五氧化二鉭薄膜之電阻切換性質研究 $d The Study of Resistive Switching Properties of Tantalum Pentoxide Films Deposited by Magnetron Sputtering Method $z eng $f 陳迺澐撰
210 $a 高雄市 $c 國立高雄大學 $d 2016[民105]
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300 $a 110年12月1日公開
300 $a 參考書目：葉103-107
314 $a 指導教授：胡裕民博士
328 $a 碩士論文--國立高雄大學應用物理學系碩士班
510 1 $a The Study of Resistive Switching Properties of Tantalum Pentoxide Films Deposited by Magnetron Sputtering Method $z eng
610 # 0 $a 五氧化二鉭 $a 電阻切換 $a 傳導機制
610 # 1 $a tantalum pentoxide $a resistive switching $a conduction mechanisms $a Schottky emission $a In-situ XAS
681 $a 008M/0019 $b 423203 7533 $v 2007年版
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