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氧化鉿薄膜電阻切換與電壓調控磁性之研究 = The study of r...

國立高雄大學應用物理學系碩士班

氧化鉿薄膜電阻切換與電壓調控磁性之研究 = The study of resistive switching and voltage-controlled magnetic properties of HfO2 films

紀錄類型:	書目-語言資料,印刷品 : 單行本
並列題名:	The study of resistive switching and voltage-controlled magnetic properties of HfO2 films
作者:	邱信儒,
其他團體作者:	國立高雄大學
出版地:	高雄市
出版者:	國立高雄大學;
出版年:	2016[民105]
面頁冊數:	9，133葉圖，表 : 30公分;
標題:	氧化鉿薄膜
標題:	HfO2
電子資源:	https://hdl.handle.net/11296/7v9fmg
附註:	111年4月11日公開
附註:	參考書目：葉127-133

氧化鉿薄膜電阻切換與電壓調控磁性之研究 = The study of resistive switching and voltage-controlled magnetic properties of HfO2 films
邱, 信儒

氧化鉿薄膜電阻切換與電壓調控磁性之研究 = The study of resistive switching and voltage-controlled magnetic properties of HfO2 films / 邱信儒撰 - 高雄市 : 國立高雄大學, 2016[民105]. - 9，133葉 ; 圖，表 ; 30公分.
111年4月11日公開參考書目：葉127-133.
氧化鉿薄膜HfO2

氧化鉿薄膜電阻切換與電壓調控磁性之研究 = The study of resistive switching and voltage-controlled magnetic properties of HfO2 films
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300 $a 參考書目：葉127-133
314 $a 指導教授：胡裕民博士
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