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背面電壓調整之超薄絕緣層上矽場效電晶體其特性及可靠度分析 = The I...
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吳昭霖
背面電壓調整之超薄絕緣層上矽場效電晶體其特性及可靠度分析 = The Investigation of Characteristic and Reliability for UTBBSOI with Different Back Bias Modulation
紀錄類型:
書目-語言資料,印刷品 : 單行本
並列題名:
The Investigation of Characteristic and Reliability for UTBBSOI with Different Back Bias Modulation
作者:
吳昭霖,
其他團體作者:
國立高雄大學
出版地:
高雄市
出版者:
國立高雄大學;
出版年:
2017[民106]
面頁冊數:
48葉圖,表 : 30公分;
標題:
超薄絕緣層上矽場效電晶體
標題:
UTBB-FDSOI
電子資源:
http://handle.ncl.edu.tw/11296/ndltd/41027194594615070826
附註:
106年10月25日公開
背面電壓調整之超薄絕緣層上矽場效電晶體其特性及可靠度分析 = The Investigation of Characteristic and Reliability for UTBBSOI with Different Back Bias Modulation
吳, 昭霖
背面電壓調整之超薄絕緣層上矽場效電晶體其特性及可靠度分析
= The Investigation of Characteristic and Reliability for UTBBSOI with Different Back Bias Modulation / 吳昭霖撰 - 高雄市 : 國立高雄大學, 2017[民106]. - 48葉 ; 圖,表 ; 30公分.
106年10月25日公開.
參考書目: 葉47-48.
超薄絕緣層上矽場效電晶體UTBB-FDSOI
背面電壓調整之超薄絕緣層上矽場效電晶體其特性及可靠度分析 = The Investigation of Characteristic and Reliability for UTBBSOI with Different Back Bias Modulation
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指導教授: 張文騰博士
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參考書目: 葉47-48
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碩士論文--國立高雄大學電機工程學系碩士班
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The Investigation of Characteristic and Reliability for UTBBSOI with Different Back Bias Modulation
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超薄絕緣層上矽場效電晶體
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博碩士論文區(二樓)
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310002760455
博碩士論文區(二樓)
不外借資料
學位論文
TH 008M/0019 542201 2661 2017
一般使用(Normal)
在架
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310002760463
博碩士論文區(二樓)
不外借資料
學位論文
TH 008M/0019 542201 2661 2017 c.2
一般使用(Normal)
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