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不同主動區面積與不同鰭數目對Tri-Gate FinFET元件之電性分析...

國立高雄大學電機工程學系碩士班

不同主動區面積與不同鰭數目對Tri-Gate FinFET元件之電性分析及可靠度研究 = The Impact of Various Active Surface Area(SA) and Fin Number on Device Performance and Reliability of Tri-Gate FinFET

紀錄類型:	書目-語言資料,印刷品 : 單行本
並列題名:	The Impact of Various Active Surface Area(SA) and Fin Number on Device Performance and Reliability of Tri-Gate FinFET
作者:	莊喬丰,
其他團體作者:	國立高雄大學
出版地:	高雄市
出版者:	國立高雄大學;
出版年:	2018[民107]
面頁冊數:	74葉部分彩圖，表格 : 30公分;
標題:	鰭式場效電晶體
標題:	FinFET
電子資源:	https://hdl.handle.net/11296/j7ew8d
附註:	107年11月1日公開
附註:	參考書目：葉71-74

不同主動區面積與不同鰭數目對Tri-Gate FinFET元件之電性分析及可靠度研究 = The Impact of Various Active Surface Area(SA) and Fin Number on Device Performance and Reliability of Tri-Gate FinFET
莊, 喬丰

不同主動區面積與不同鰭數目對Tri-Gate FinFET元件之電性分析及可靠度研究 = The Impact of Various Active Surface Area(SA) and Fin Number on Device Performance and Reliability of Tri-Gate FinFET / 莊喬丰撰 - 高雄市 : 國立高雄大學, 2018[民107]. - 74葉 ; 部分彩圖，表格 ; 30公分.
107年11月1日公開參考書目：葉71-74.
鰭式場效電晶體FinFET

不同主動區面積與不同鰭數目對Tri-Gate FinFET元件之電性分析及可靠度研究 = The Impact of Various Active Surface Area(SA) and Fin Number on Device Performance and Reliability of Tri-Gate FinFET
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300 $a 參考書目：葉71-74
314 $a 指導教授：葉文冠博士
328 $a 碩士論文--國立高雄大學電機工程學系碩士班
510 1 $a The Impact of Various Active Surface Area(SA) and Fin Number on Device Performance and Reliability of Tri-Gate FinFET $z eng
610 # 0 $a 鰭式場效電晶體 $a 淺溝槽隔離 $a 主動區面積 $a 接觸蝕刻停止層
610 # 1 $a FinFET $a STI $a Active Surface Area $a Contact Etch Stop Layer
681 $a 008M/0019 $b 542201 4425.1 $v 2007年版
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