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使用石墨烯量子點與參雜鎢氧化銦薄鏌在氮化銦鎵/氮化鎵多重量子井發光二極體...

國立高雄大學應用物理學系碩士班

使用石墨烯量子點與參雜鎢氧化銦薄鏌在氮化銦鎵/氮化鎵多重量子井發光二極體中增強發光效率及載子傳輸之研究 = Studies of Enhanced Luminous Efficiency and Carrier Transport by Using Graphene Quantum Dots and Tungsten Doped In2O3 Film in InGaN/GaN Multiple-quantum-well Light Emitting Diodes

紀錄類型:	書目-語言資料,印刷品 : 單行本
並列題名:	Studies of Enhanced Luminous Efficiency and Carrier Transport by Using Graphene Quantum Dots and Tungsten Doped In2O3 Film in InGaN/GaN Multiple-quantum-well Light Emitting Diodes
作者:	馮少強,
其他團體作者:	國立高雄大學
出版地:	高雄市
出版者:	國立高雄大學;
出版年:	2020[民109]
面頁冊數:	[14]，59葉圖 : 30公分;
標題:	覆晶
標題:	flip chip
電子資源:	https://hdl.handle.net/11296/9978t7
附註:	111年10月5日公開
附註:	參考書目：葉50-51

使用石墨烯量子點與參雜鎢氧化銦薄鏌在氮化銦鎵/氮化鎵多重量子井發光二極體中增強發光效率及載子傳輸之研究 = Studies of Enhanced Luminous Efficiency and Carrier Transport by Using Graphene Quantum Dots and Tungsten Doped In2O3 Film in InGaN/GaN Multiple-quantum-well Light Emitting Diodes
馮, 少強

使用石墨烯量子點與參雜鎢氧化銦薄鏌在氮化銦鎵/氮化鎵多重量子井發光二極體中增強發光效率及載子傳輸之研究 = Studies of Enhanced Luminous Efficiency and Carrier Transport by Using Graphene Quantum Dots and Tungsten Doped In2O3 Film in InGaN/GaN Multiple-quantum-well Light Emitting Diodes / 馮少強撰 - 高雄市 : 國立高雄大學, 2020[民109]. - [14]，59葉 ; 圖 ; 30公分.
111年10月5日公開參考書目：葉50-51.
覆晶flip chip

使用石墨烯量子點與參雜鎢氧化銦薄鏌在氮化銦鎵/氮化鎵多重量子井發光二極體中增強發光效率及載子傳輸之研究 = Studies of Enhanced Luminous Efficiency and Carrier Transport by Using Graphene Quantum Dots and Tungsten Doped In2O3 Film in InGaN/GaN Multiple-quantum-well Light Emitting Diodes
LDR:01613pam0a2200265 450 001 573081
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010 0 $b 精裝
010 0 $b 平裝
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200 1 $a 使用石墨烯量子點與參雜鎢氧化銦薄鏌在氮化銦鎵/氮化鎵多重量子井發光二極體中增強發光效率及載子傳輸之研究 $d Studies of Enhanced Luminous Efficiency and Carrier Transport by Using Graphene Quantum Dots and Tungsten Doped In2O3 Film in InGaN/GaN Multiple-quantum-well Light Emitting Diodes $z eng $f 馮少強撰
210 $a 高雄市 $c 國立高雄大學 $d 2020[民109]
215 0 $a [14]，59葉 $c 圖 $d 30公分
300 $a 111年10月5日公開
300 $a 參考書目：葉50-51
314 $a 指導教授：馮世維博士
328 $a 碩士論文--國立高雄大學應用物理學系碩士班
510 1 $a Studies of Enhanced Luminous Efficiency and Carrier Transport by Using Graphene Quantum Dots and Tungsten Doped In2O3 Film in InGaN/GaN Multiple-quantum-well Light Emitting Diodes $z eng
610 # 0 $a 覆晶 $a 氧化銦鎢透明導電層 $a 載子傳輸 $a 氮化銦鎵/氮化鎵多重量子井發光二極體 $a 氮極性 $a 時間解析電激螢光 $a 鎵極性 $a 石墨烯量子點
610 # 1 $a flip chip $a tungsten doped In2O3 film $a carrier transport $a time-resolved electroluminescence (TREL) $a N-polar $a InGaN/GaN MQWs LEDs $a Ga-polar $a graphene quantum dots
681 $a 008M/0019 $b 423203 3191 $v 2007年版
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712 0 2 $a 國立高雄大學 $b 應用物理學系碩士班 $3 353956
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856 7 # $u https://hdl.handle.net/11296/9978t7 $z 電子資源 $2 http