準分子雷射濺鍍Zr0.8Sn0.2TiO4薄膜材料之光電特性及其應用於M...
國立高雄大學電機工程學系碩士班

 

  • 準分子雷射濺鍍Zr0.8Sn0.2TiO4薄膜材料之光電特性及其應用於MIS元件結構之光偵測響應研究 = The Study of Photoelectric Properties of the Zr0.8Sn0.2TiO4 Thin Films Deposited by Excimer Laser Sputtering and the Measurement of the Responsivity in a MIS Structure
  • Record Type: Language materials, printed : monographic
    Paralel Title: The Study of Photoelectric Properties of the Zr0.8Sn0.2TiO4 Thin Films Deposited by Excimer Laser Sputtering and the Measurement of the Responsivity in a MIS Structure
    Author: 莊絜敦,
    Secondary Intellectual Responsibility: 國立高雄大學
    Place of Publication: [高雄市]
    Published: 撰者;
    Year of Publication: 2008[民97]
    Description: 122面圖,表 : 30公分;
    Subject: ZST 薄膜
    Subject: ZST thin film
    Online resource: http://handle.ncl.edu.tw/11296/ndltd/52831850345246259867
    Notes: 指導教授:施明昌
    Notes: 參考書目:面119-121
    Summary: 本論文針對氟化氪 (KrF)準分子雷射濺鍍技術,沉積Zr0.8Sn0.2TiO4 (ZST)高介電材料於p-type 矽基板上,並應用於金屬-絕緣層-半導體 (MIS)結構之光偵測器元件。主要是利用矽半導體對光子能量的吸收特性,進而產生電子-電洞對,並討論不同光波段下,在外加電場影響而產生電子遷移現象,形成光電流。此MIS 結構為易製作的堆疊結構,且容易與製程整合。
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310001729980 博碩士論文區(二樓) 不外借資料 學位論文 008M/0019 542201 4450 2008 一般使用(Normal) On shelf 0
310001729998 博碩士論文區(二樓) 不外借資料 學位論文 008M/0019 542201 4450 2008 c.2 一般使用(Normal) On shelf 0
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