利用噴塗法製備銅銦硒太陽能電池 = Fabrication of CuI...
國立高雄大學化學工程及材料工程學系碩士班

 

  • 利用噴塗法製備銅銦硒太陽能電池 = Fabrication of CuInSe2 Solar Cells by Using Spray Coating Method
  • 紀錄類型: 書目-語言資料,印刷品 : 單行本
    並列題名: Fabrication of CuInSe2 Solar Cells by Using Spray Coating Method
    作者: 陳彥霖,
    其他團體作者: 國立高雄大學
    出版地: [高雄市]
    出版者: 撰者;
    出版年: 2013[民102]
    面頁冊數: 117面圖,表格 : 30公分;
    標題: 銅銦硒
    標題: Copper Indium Selenide
    電子資源: http://handle.ncl.edu.tw/11296/ndltd/18795986435990391537
    附註: 參考書目:面99-103
    附註: 102年10月31日公開
    摘要註: 近幾年來能源危機與地球暖化之議題已越來越嚴重,所以如何尋找潔淨無污染之能源,已越來越重要。因應全球能源未來可能面臨危機,太陽能光電元件的發展極具市場潛力與規模,近幾年主要開發的是薄膜太陽能光電元件。薄膜太陽能系統銅銦硒 (CuInSe2, CIS)及銅銦鎵硒 (CuInGaSe2, CIGS)太陽能電池。CIS 及CIGS 主要的特點是不像其他的薄膜材料,長期在太陽光照射下效率會受影響而降低。除此外,CIS 及CIGS 材料可以噴在金屬薄片、塑膠、玻璃上,也可與水泥或其他建材混合使用。製造CIS 及CIGS 的薄膜材料與元件之機台為Roll-To-Roll 或是多源共蒸鍍之方式,且CIS 及CIGS 元件製程機臺,皆必需依賴外國如歐、美、日等國進口,因我國沒有這種相關設備的製造商,因此CIS 及CIGS 的元件製程機臺佔資本門的大部份。太陽能光電薄膜材料與元件製程機台單價從數千萬到上億元,雖然國內業者有意從事太陽能光電設備機台開發,但礙於技術門檻只有作罷。所以本實驗將採用之CIGS--威奈公司提供少部分先期研究與大部分採購之通用型原料,利用噴塗法製備太陽能電池。本實驗主要是以噴塗法噴塗6 wt% CIS異丙醇溶液於鍍有雙層鉬的康寧玻璃上,並且探討改變不同熱處理溫度、不同的硒補償量及不同的熱處理持溫時間下,其晶體結構、表面形態、薄膜厚度、元素組成比例及電學性質等的特性。經實驗結果可得知,本實驗成功的製備出銅銦硒太陽能光電元件,並且在照光面積為0.052 cm2大小的太陽能光電元件上量測到0.53 %的最高效率,其短路電流(Short-circuit Current, ISC)為0.469 mA、開路電壓(Open-circuit Voltage, VOC)為0.113 V、短路電流密度(Short-circuit Current Density, JSC)為9.03 mA/cm2、填充因子(Fill Factor, F.F.)為52.25。 The energy crisis and the global warming that has been more and more serious, so it is important to find the non-polluting source of energy. The solar cell is a popular green energy in recent years. The major development of the thin film solar cells including the copper indium selenide (CuInSe2, CIS) thin film solar cell and copper indium gallium selenide (CuInGaSe2, CIGS) solar cells. CIS and CIGS is unlike other thin film solar cells that the efficiency will not be affected after long sunlight. In addition, CIS and CIGS can also deposited on the stainless steel, plastic, glass, and cement substrate.In this study, CIS thin films were deposited on the bi-layer molybdenum (Mo)/glass substrate by using the spray coating method. The CIS thin films were prepared by solution of the CIS nano-powder and isopropyl alcohol (IPA) solution. The deposition thickness, sintering temperature, sintering time and the extra content of selenium powder were changed for the CIS thin films. After the CIS thin films were deposited, cadmium sulfur (CdS), intrinsic Znic Oxide (i-ZnO) and aluminum zinc oxide (AZO) was deposited on CIS thin films. Form above results, the CIS solar cell was successfully fabricated by the AZO/i-ZnO/CdS/CIS/bi-layer Mo/Glass structure. The energy conversation efficiency of the CIS cell solar is 0.53 %, short-circuit current (ISC) is 0.469 mA, open-circuit voltage (VOC) of 0.113 V, short-circuit current density (JSC) of 9.03 mA/cm2, fill factor (F.F.) of 52.25.
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  • 2 筆 • 頁數 1 •
 
310002391863 博碩士論文區(二樓) 不外借資料 學位論文 TH 008M/0019 541208 7501 2013 一般使用(Normal) 在架 0
310002391871 博碩士論文區(二樓) 不外借資料 學位論文 TH 008M/0019 541208 7501 2013 c.2 一般使用(Normal) 在架 0
  • 2 筆 • 頁數 1 •
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