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製程對IGZO薄膜元件特性之影響 = Effect of Fabrica...

國立高雄大學化學工程及材料工程學系碩士班

製程對IGZO薄膜元件特性之影響 = Effect of Fabrication Process on the Characteristics of IGZO Thin Films and Devices

紀錄類型:	書目-語言資料,印刷品 : 單行本
並列題名:	Effect of Fabrication Process on the Characteristics of IGZO Thin Films and Devices
作者:	柳郁禎,
其他團體作者:	國立高雄大學
出版地:	[高雄市]
出版者:	撰者;
出版年:	2014[民103]
面頁冊數:	98面圖，表 : 30公分;
標題:	多層結構
標題:	RF magnetron sputtering
電子資源:	http://handle.ncl.edu.tw/11296/ndltd/70268001788177702283
附註:	參考書目：面82-86
附註:	103年12月16日公開
摘要註:	本研究是將IGZO以射頻磁控濺鍍以及電子束蒸鍍沉積薄膜，我們期望能做出具有良好透光率以及低電阻率的透明導電膜，在IGZO透明導電膜的製程中能有新的選擇。實驗中我們探討單一成份靶材濺鍍以及雙槍濺鍍，分別改變不同參數得到單一成份靶材濺鍍有最佳參數85%透光度、電阻率為0.125Ω-cm以及載子濃度6.9x1018 cm-3以及電子遷移率8.7cm2/Vs而雙槍濺鍍最佳的薄膜製程參數阻值5.91x10-4Ω-cm以及載子濃度8x1019cm-3以及電子遷移率65cm2/Vs並且其透光度都達85%。另外一組實驗比較了單一成分蒸鍍以及多層結構蒸鍍，在單一成分蒸鍍部分室溫製程時擁有電阻係數1.5x10-1Ω-cm、載子濃度2x1019cm-3以及電子遷移率8cm2/Vs，但在升溫製程中雖有80%的透明度，卻也使阻值提高到了5x102Ω-cm，而在多層結構中我們得到更佳的電性質，並且利用SIMS、EDS等分析多層結構對於薄膜之影響，證明多層結構對於IGZO的影響。最後討論各種參數所構成之R-RAM元件在電性上的性質與效能，並且討論矽基板對於HF蝕刻後所對於元件之影響。 In this work, comparison of RF magnetron sputtering and electron beam evaporation deposition of IGZO thin films.First,we investigate the single component sputtering target and co-sputtering.we change different parameters of a single ingredient and get the best parameters:85% light transmission, 0.125Ω-cm resistivity and carrier concentration 6.9x1018 cm-3 and mobility 8.7cm2/Vs.Co-sputtering process parameters optimum resistance 5.91x10-4Ω-cm and a carrier concentration of 8x1019cm-3 and mobility are 65cm2/Vs and the transmittance 85%.Another set of experiments comparing the single component vapor deposition, and the multilayer structure vapor deposition.We get the single component vapor deposition with a resistivity of 1.5x10-1Ω-cm, the carrier concentration of 2x1019cm-3 and mobility 8cm2/Vs of the deposition temperature at RT, However, although the transparency of the heating process is 80%, but the resistance become 5x102Ω-cm, while in the multilayer structure, we obtain better electrical properties, and use SIMS and EDS analysis to proof the impact of multi-layer structure for the thin filmFinally, we discuss whether this material can be used in r-ram devices, investigate influence of the etching silicon substrate to the device. we get a good electrical performance as described in the I-V result.

製程對IGZO薄膜元件特性之影響 = Effect of Fabrication Process on the Characteristics of IGZO Thin Films and Devices
柳, 郁禎

製程對IGZO薄膜元件特性之影響 = Effect of Fabrication Process on the Characteristics of IGZO Thin Films and Devices / 柳郁禎撰 - [高雄市] : 撰者, 2014[民103]. - 98面 ; 圖，表 ; 30公分.
參考書目：面82-86103年12月16日公開.
多層結構RF magnetron sputtering

製程對IGZO薄膜元件特性之影響 = Effect of Fabrication Process on the Characteristics of IGZO Thin Films and Devices
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300 $a 103年12月16日公開
314 $a 指導教授：楊證富博士
328 $a 碩士論文--國立高雄大學化學工程及材料工程學系碩士班
330 $a 本研究是將IGZO以射頻磁控濺鍍以及電子束蒸鍍沉積薄膜，我們期望能做出具有良好透光率以及低電阻率的透明導電膜，在IGZO透明導電膜的製程中能有新的選擇。實驗中我們探討單一成份靶材濺鍍以及雙槍濺鍍，分別改變不同參數得到單一成份靶材濺鍍有最佳參數85%透光度、電阻率為0.125Ω-cm以及載子濃度6.9x1018 cm-3以及電子遷移率8.7cm2/Vs而雙槍濺鍍最佳的薄膜製程參數阻值5.91x10-4Ω-cm以及載子濃度8x1019cm-3以及電子遷移率65cm2/Vs並且其透光度都達85%。另外一組實驗比較了單一成分蒸鍍以及多層結構蒸鍍，在單一成分蒸鍍部分室溫製程時擁有電阻係數1.5x10-1Ω-cm、載子濃度2x1019cm-3以及電子遷移率8cm2/Vs，但在升溫製程中雖有80%的透明度，卻也使阻值提高到了5x102Ω-cm，而在多層結構中我們得到更佳的電性質，並且利用SIMS、EDS等分析多層結構對於薄膜之影響，證明多層結構對於IGZO的影響。最後討論各種參數所構成之R-RAM元件在電性上的性質與效能，並且討論矽基板對於HF蝕刻後所對於元件之影響。 In this work, comparison of RF magnetron sputtering and electron beam evaporation deposition of IGZO thin films.First,we investigate the single component sputtering target and co-sputtering.we change different parameters of a single ingredient and get the best parameters:85% light transmission, 0.125Ω-cm resistivity and carrier concentration 6.9x1018 cm-3 and mobility 8.7cm2/Vs.Co-sputtering process parameters optimum resistance 5.91x10-4Ω-cm and a carrier concentration of 8x1019cm-3 and mobility are 65cm2/Vs and the transmittance 85%.Another set of experiments comparing the single component vapor deposition, and the multilayer structure vapor deposition.We get the single component vapor deposition with a resistivity of 1.5x10-1Ω-cm, the carrier concentration of 2x1019cm-3 and mobility 8cm2/Vs of the deposition temperature at RT, However, although the transparency of the heating process is 80%, but the resistance become 5x102Ω-cm, while in the multilayer structure, we obtain better electrical properties, and use SIMS and EDS analysis to proof the impact of multi-layer structure for the thin filmFinally, we discuss whether this material can be used in r-ram devices, investigate influence of the etching silicon substrate to the device. we get a good electrical performance as described in the I-V result.
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