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高介電材料薄膜電容器製程與特性分析 = High Dielectric ...

國立高雄大學電機工程學系碩士班

高介電材料薄膜電容器製程與特性分析 = High Dielectric Material Thin-Film Capacitor Fabrication

Record Type:	Language materials, printed : monographic
Paralel Title:	High Dielectric Material Thin-Film Capacitor Fabrication
Author:	謝國豪,
Secondary Intellectual Responsibility:	國立高雄大學
Place of Publication:	[高雄市]
Published:	撰者;
Year of Publication:	2014[民103]
Description:	91面圖，表 : 30公分;
Subject:	被動元件
Subject:	Passive device
Online resource:	http://handle.ncl.edu.tw/11296/ndltd/64385073270517250771
Notes:	參考書目：面76-79
Notes:	103年12月16日公開
Summary:	本論文研究薄膜電容器整合被動元件，主要分為三個部分，第一個部分為討論薄膜電容的介電材料，鋇鍶鈦鋯陶瓷。它具有高介電常數，使電容器會有比較大的電容值的結果。我們將使用射頻濺鍍系統沉積鋇鍶鈦鋯薄膜並探討以不同的濺鍍參數，討論濺鍍參數對鋇鍶鈦鋯薄膜的介電常數的影響。第二個部分為設計薄膜電容器的結構並使用Ansoft HFSS軟體模擬薄膜電容器，建利資料庫以及探討其特性。第三個部分為使用黃光微影技術製作出薄膜電容器。 In this thesis, investigating about integrated thin-film capacitor device. There are three main parts of the research. First, investigate the dielectric layer of the capacitor, BSTZ ceramics. This material has a high dielectric constant that it be expected to get a large capacitance in using BSTZ ceramic. In this study, use RF magnetron sputtering to deposit BSTZ thin film and the dielectric constant of the thin film with the different sputtering parameter is investigated. Second, Use Ansoft HFSS software design and simulate the thin-film capacitor device to build the database and investigate its characteristic. The last, use lithography technique fabricate thin-film capacitor device.

高介電材料薄膜電容器製程與特性分析 = High Dielectric Material Thin-Film Capacitor Fabrication
謝, 國豪

高介電材料薄膜電容器製程與特性分析 = High Dielectric Material Thin-Film Capacitor Fabrication / 謝國豪撰 - [高雄市] : 撰者, 2014[民103]. - 91面 ; 圖，表 ; 30公分.
參考書目：面76-79103年12月16日公開.
被動元件Passive device

高介電材料薄膜電容器製程與特性分析 = High Dielectric Material Thin-Film Capacitor Fabrication
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200 1 $a 高介電材料薄膜電容器製程與特性分析 $d High Dielectric Material Thin-Film Capacitor Fabrication $z eng $f 謝國豪撰
210 $a [高雄市] $c 撰者 $d 2014[民103]
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300 $a 參考書目：面76-79
300 $a 103年12月16日公開
314 $a 指導教授：吳松茂博士、楊證富博士
328 $a 碩士論文--國立高雄大學電機工程學系碩士班
330 $a 本論文研究薄膜電容器整合被動元件，主要分為三個部分，第一個部分為討論薄膜電容的介電材料，鋇鍶鈦鋯陶瓷。它具有高介電常數，使電容器會有比較大的電容值的結果。我們將使用射頻濺鍍系統沉積鋇鍶鈦鋯薄膜並探討以不同的濺鍍參數，討論濺鍍參數對鋇鍶鈦鋯薄膜的介電常數的影響。第二個部分為設計薄膜電容器的結構並使用Ansoft HFSS軟體模擬薄膜電容器，建利資料庫以及探討其特性。第三個部分為使用黃光微影技術製作出薄膜電容器。 In this thesis, investigating about integrated thin-film capacitor device. There are three main parts of the research. First, investigate the dielectric layer of the capacitor, BSTZ ceramics. This material has a high dielectric constant that it be expected to get a large capacitance in using BSTZ ceramic. In this study, use RF magnetron sputtering to deposit BSTZ thin film and the dielectric constant of the thin film with the different sputtering parameter is investigated. Second, Use Ansoft HFSS software design and simulate the thin-film capacitor device to build the database and investigate its characteristic. The last, use lithography technique fabricate thin-film capacitor device.
510 1 $a High Dielectric Material Thin-Film Capacitor Fabrication $z eng
610 0 $a 被動元件 $a 整合被動元件 $a 薄膜電容 $a BSTZ陶瓷 $a 濺鍍 $a 黃光微影
610 1 $a Passive device $a integrated passive device $a thin-film $a BSTZ ceramics $a sputtering $a lithography
681 $a 008M/0019 $b 542201 0460 $v 2007年版
700 1 $a 謝 $b 國豪 $4 撰 $3 673423
712 0 2 $a 國立高雄大學 $b 電機工程學系碩士班 $3 166118
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