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鐵摻雜β相三氧化二鉍薄膜的磁致電阻切換特性研究 = Magnetical...

國立高雄大學應用物理學系碩士班

鐵摻雜β相三氧化二鉍薄膜的磁致電阻切換特性研究 = Magnetically-induced resistive switching in Iron-doped β-Bi2O3 films

Record Type:	Language materials, printed : monographic
Paralel Title:	Magnetically-induced resistive switching in Iron-doped β-Bi2O3 films
Author:	張赫,
Secondary Intellectual Responsibility:	國立高雄大學
Place of Publication:	[高雄市]
Published:	撰者;
Year of Publication:	2014[民103]
Description:	123面圖,表 : 30公分;
Subject:	氧化鉍
Subject:	Bi2O3
Online resource:	http://handle.ncl.edu.tw/11296/ndltd/83677056010447194810
Notes:	104年10月31日公開
Notes:	參考書目：面108-111
Summary:	紙本專利開放日104.09.03

鐵摻雜β相三氧化二鉍薄膜的磁致電阻切換特性研究 = Magnetically-induced resistive switching in Iron-doped β-Bi2O3 films
張, 赫

鐵摻雜β相三氧化二鉍薄膜的磁致電阻切換特性研究 = Magnetically-induced resistive switching in Iron-doped β-Bi2O3 films / 張赫撰 - [高雄市] : 撰者, 2014[民103]. - 123面 ; 圖,表 ; 30公分.
104年10月31日公開參考書目：面108-111.
氧化鉍Bi2O3

鐵摻雜β相三氧化二鉍薄膜的磁致電阻切換特性研究 = Magnetically-induced resistive switching in Iron-doped β-Bi2O3 films
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300 $a 104年10月31日公開
300 $a 參考書目：面108-111
314 $a 指導教授：余進忠博士
328 $a 碩士論文--國立高雄大學應用物理學系碩士班
330 $a 紙本專利開放日104.09.03
510 1 $a Magnetically-induced resistive switching in Iron-doped β-Bi2O3 films
610 0 $a 氧化鉍 $a 電阻切換
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