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鐵摻雜β相三氧化二鉍薄膜的磁致電阻切換特性研究 = Magnetical...

國立高雄大學應用物理學系碩士班

鐵摻雜β相三氧化二鉍薄膜的磁致電阻切換特性研究 = Magnetically-induced resistive switching in Iron-doped β-Bi2O3 films

紀錄類型:	書目-語言資料,印刷品 : 單行本
並列題名:	Magnetically-induced resistive switching in Iron-doped β-Bi2O3 films
作者:	張赫,
其他團體作者:	國立高雄大學
出版地:	[高雄市]
出版者:	撰者;
出版年:	2014[民103]
面頁冊數:	123面圖,表 : 30公分;
標題:	氧化鉍
標題:	Bi2O3
電子資源:	http://handle.ncl.edu.tw/11296/ndltd/83677056010447194810
附註:	104年10月31日公開
附註:	參考書目：面108-111
摘要註:	紙本專利開放日104.09.03

鐵摻雜β相三氧化二鉍薄膜的磁致電阻切換特性研究 = Magnetically-induced resistive switching in Iron-doped β-Bi2O3 films
張, 赫

鐵摻雜β相三氧化二鉍薄膜的磁致電阻切換特性研究 = Magnetically-induced resistive switching in Iron-doped β-Bi2O3 films / 張赫撰 - [高雄市] : 撰者, 2014[民103]. - 123面 ; 圖,表 ; 30公分.
104年10月31日公開參考書目：面108-111.
氧化鉍Bi2O3

鐵摻雜β相三氧化二鉍薄膜的磁致電阻切換特性研究 = Magnetically-induced resistive switching in Iron-doped β-Bi2O3 films
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300 $a 104年10月31日公開
300 $a 參考書目：面108-111
314 $a 指導教授：余進忠博士
328 $a 碩士論文--國立高雄大學應用物理學系碩士班
330 $a 紙本專利開放日104.09.03
510 1 $a Magnetically-induced resistive switching in Iron-doped β-Bi2O3 films
610 0 $a 氧化鉍 $a 電阻切換
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