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以熱蒸鍍法沉積碲化鉍熱電薄膜特性之研究 = Investigation ...

國立中山大學電機工程學系

以熱蒸鍍法沉積碲化鉍熱電薄膜特性之研究 = Investigation of the thermoelectric properties of Bi2Te3 thin films by thermal evaporation processes

Record Type:	Language materials, printed : monographic
Paralel Title:	Investigation of the thermoelectric properties of Bi2Te3 thin films by thermal evaporation processes
Author:	林祺弼,
Secondary Intellectual Responsibility:	國立中山大學
Place of Publication:	[高雄市]
Published:	撰者;
Year of Publication:	2013[民102]
Description:	100面圖，表 : 29公分;
Subject:	熱電
Subject:	thermoelectric
Notes:	參考書目：面97-100
Summary:	石油、煤、瓦斯等能源終有耗盡的一天，而基於對環保的訴求，熱電材料具備了低汙染及再生能源的優點，經由熱電的工作原理可將廢熱轉換成可用電能，增加能源利用的效率。碲化鉍與其系列合金為室溫下最佳之熱電材料，本實驗利用熱蒸鍍法(thermal evaportion)製備碲化鉍熱電薄膜，探討基版升溫與熱退火處理對薄膜物性及電性之影響。接下來，利用共蒸鍍法將金屬銀原子掺雜到Bi2Te3薄膜，同樣作基版升溫及熱退火處理，比較有摻雜與無摻雜對熱電特性之影響。在未摻雜時，由SEM可觀察到，增加基版溫度時其晶粒大小會隨著溫度增加而變大，由X-ray繞射分析得知，基版溫度在150℃時可得到較佳之晶相以及較佳的功率因子為4.89uW/cm‧K2。當溫度達到200℃時會產升BiTe雜相，使得薄膜品質變差，且材料特性會從n-type轉變為p-type，使得Seebeck係數呈現先上升後下降的趨勢。接著將試片以熱退火方式處理，由實驗結果得知薄膜原子會重新排列，使得缺陷減少，進而提升Seebeck係數。於本研究中，當基板溫度在150℃，熱退火溫度250℃，時間0.5小時的情況下得到最好的功率因子為0.18uW/cm‧K2。接著以此摻雜濃度進行基板升溫及熱退火處理，結果顯示再基板溫度100℃，熱退火溫度250℃，時間0.5小時的情況下，得到最佳功率因子為2.1uW/cm‧K2。

以熱蒸鍍法沉積碲化鉍熱電薄膜特性之研究 = Investigation of the thermoelectric properties of Bi2Te3 thin films by thermal evaporation processes
林, 祺弼

以熱蒸鍍法沉積碲化鉍熱電薄膜特性之研究 = Investigation of the thermoelectric properties of Bi2Te3 thin films by thermal evaporation processes / 林祺弼撰 - [高雄市] : 撰者, 2013[民102]. - 100面 ; 圖，表 ; 29公分.
參考書目：面97-100.
熱電thermoelectric

以熱蒸鍍法沉積碲化鉍熱電薄膜特性之研究 = Investigation of the thermoelectric properties of Bi2Te3 thin films by thermal evaporation processes
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210 $a [高雄市] $c 撰者 $d 2013[民102]
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300 $a 參考書目：面97-100
314 $a 指導教授：陳英忠博士
328 $a 碩士論文--國立中山大學電機工程學系
330 $a 石油、煤、瓦斯等能源終有耗盡的一天，而基於對環保的訴求，熱電材料具備了低汙染及再生能源的優點，經由熱電的工作原理可將廢熱轉換成可用電能，增加能源利用的效率。碲化鉍與其系列合金為室溫下最佳之熱電材料，本實驗利用熱蒸鍍法(thermal evaportion)製備碲化鉍熱電薄膜，探討基版升溫與熱退火處理對薄膜物性及電性之影響。接下來，利用共蒸鍍法將金屬銀原子掺雜到Bi2Te3薄膜，同樣作基版升溫及熱退火處理，比較有摻雜與無摻雜對熱電特性之影響。在未摻雜時，由SEM可觀察到，增加基版溫度時其晶粒大小會隨著溫度增加而變大，由X-ray繞射分析得知，基版溫度在150℃時可得到較佳之晶相以及較佳的功率因子為4.89uW/cm‧K2。當溫度達到200℃時會產升BiTe雜相，使得薄膜品質變差，且材料特性會從n-type轉變為p-type，使得Seebeck係數呈現先上升後下降的趨勢。接著將試片以熱退火方式處理，由實驗結果得知薄膜原子會重新排列，使得缺陷減少，進而提升Seebeck係數。於本研究中，當基板溫度在150℃，熱退火溫度250℃，時間0.5小時的情況下得到最好的功率因子為0.18uW/cm‧K2。接著以此摻雜濃度進行基板升溫及熱退火處理，結果顯示再基板溫度100℃，熱退火溫度250℃，時間0.5小時的情況下，得到最佳功率因子為2.1uW/cm‧K2。
510 1 $a Comparison of the Differences of Drive for Muscularity and Unhealthy Exercise Behavior Symptoms among Male Weight Trainers With Different Body Shape Perception $z eng
610 # 0 $a 熱電 $a 碲化鉍 $a 熱蒸鍍 $a 功率因子 $a 席貝克係數
610 # 1 $a thermoelectric $a Bi2Te3 $a thermal evaporation $a power factor $a Seebeck coefficient
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