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以射頻磁控濺鍍技術製備鋯酸鋇鐵電薄膜記憶元件之研究 = The Stud...

國立中山大學電機工程學系

以射頻磁控濺鍍技術製備鋯酸鋇鐵電薄膜記憶元件之研究 = The Study of FeRAM Devices using BZT Ferroelectric Thin Film Prepared by the RF magnetron Sputtering Process

Record Type:	Language materials, printed : monographic
Paralel Title:	The Study of FeRAM Devices using BZT Ferroelectric Thin Film Prepared by the RF magnetron Sputtering Process
Author:	陳聯祥,
Secondary Intellectual Responsibility:	國立中山大學
Place of Publication:	[高雄市]
Published:	撰者;
Year of Publication:	2005[民94]
Description:	101面圖，表格 : 30公分;
Notes:	參考書目：面46-49

以射頻磁控濺鍍技術製備鋯酸鋇鐵電薄膜記憶元件之研究 = The Study of FeRAM Devices using BZT Ferroelectric Thin Film Prepared by the RF magnetron Sputtering Process
陳, 聯祥

以射頻磁控濺鍍技術製備鋯酸鋇鐵電薄膜記憶元件之研究 = The Study of FeRAM Devices using BZT Ferroelectric Thin Film Prepared by the RF magnetron Sputtering Process / 陳聯祥撰 - [高雄市] : 撰者, 2005[民94]. - 101面 ; 圖，表格 ; 30公分.
參考書目：面46-49.

以射頻磁控濺鍍技術製備鋯酸鋇鐵電薄膜記憶元件之研究 = The Study of FeRAM Devices using BZT Ferroelectric Thin Film Prepared by the RF magnetron Sputtering Process
LDR:00892nam0 2200205 450 001 449053
005 20150515104851.0
010 0 $b 平裝
100 $a 20150507d2005 k y0chiy05 e
101 1 $a chi $d chi $d eng
102 $a tw
105 $a ak am 000yy
200 1 $a 以射頻磁控濺鍍技術製備鋯酸鋇鐵電薄膜記憶元件之研究 $d The Study of FeRAM Devices using BZT Ferroelectric Thin Film Prepared by the RF magnetron Sputtering Process $z eng $f 陳聯祥撰
210 $a [高雄市] $c 撰者 $d 2005[民94]
215 0 $a 101面 $c 圖，表格 $d 30公分
300 $a 參考書目：面46-49
314 $a 指導教授：陳英忠博士
328 $a 碩士論文--國立中山大學電機工程學系
510 1 $a The Study of FeRAM Devices using BZT Ferroelectric Thin Film Prepared by the RF magnetron Sputtering Process $z eng
681 $a 008M/0009 $b 542201 7513 $v 2007年版
700 1 $a 陳 $b 聯祥 $4 撰 $3 703376
712 0 2 $a 國立中山大學 $b 電機工程學系 $3 700873
801 0 $a tw $b NUK $c 20150507 $g CCR