磁控濺鍍法成長五氧化二鉭薄膜之電阻切換性質研究 = The Study ...
國立高雄大學應用物理學系碩士班

 

  • 磁控濺鍍法成長五氧化二鉭薄膜之電阻切換性質研究 = The Study of Resistive Switching Properties of Tantalum Pentoxide Films Deposited by Magnetron Sputtering Method
  • Record Type: Language materials, printed : monographic
    Paralel Title: The Study of Resistive Switching Properties of Tantalum Pentoxide Films Deposited by Magnetron Sputtering Method
    Author: 陳迺澐,
    Secondary Intellectual Responsibility: 國立高雄大學
    Place of Publication: 高雄市
    Published: 國立高雄大學;
    Year of Publication: 2016[民105]
    Description: xiii,108葉圖,表 : 30公分;
    Subject: 五氧化二鉭
    Subject: tantalum pentoxide
    Online resource: https://hdl.handle.net/11296/3mjx7m
    Notes: 110年12月1日公開
    Notes: 參考書目:葉103-107
Items
  • 2 records • Pages 1 •
 
310002987595 博碩士論文區(二樓) 不外借資料 學位論文 TH 008M/0019 423203 7533 2016 一般使用(Normal) On shelf 0
310002987603 博碩士論文區(二樓) 不外借資料 學位論文 TH 008M/0019 423203 7533 2016 c.2 一般使用(Normal) On shelf 0
  • 2 records • Pages 1 •
Multimedia
Reviews
Export
pickup library
 
 
Change password
Login