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氧化鉿薄膜電阻切換與電壓調控磁性之研究 = The study of r...

國立高雄大學應用物理學系碩士班

氧化鉿薄膜電阻切換與電壓調控磁性之研究 = The study of resistive switching and voltage-controlled magnetic properties of HfO2 films

Record Type:	Language materials, printed : monographic
Paralel Title:	The study of resistive switching and voltage-controlled magnetic properties of HfO2 films
Author:	邱信儒,
Secondary Intellectual Responsibility:	國立高雄大學
Place of Publication:	高雄市
Published:	國立高雄大學;
Year of Publication:	2016[民105]
Description:	9，133葉圖，表 : 30公分;
Subject:	氧化鉿薄膜
Subject:	HfO2
Online resource:	https://hdl.handle.net/11296/7v9fmg
Notes:	111年4月11日公開
Notes:	參考書目：葉127-133

氧化鉿薄膜電阻切換與電壓調控磁性之研究 = The study of resistive switching and voltage-controlled magnetic properties of HfO2 films
邱, 信儒

氧化鉿薄膜電阻切換與電壓調控磁性之研究 = The study of resistive switching and voltage-controlled magnetic properties of HfO2 films / 邱信儒撰 - 高雄市 : 國立高雄大學, 2016[民105]. - 9，133葉 ; 圖，表 ; 30公分.
111年4月11日公開參考書目：葉127-133.
氧化鉿薄膜HfO2

氧化鉿薄膜電阻切換與電壓調控磁性之研究 = The study of resistive switching and voltage-controlled magnetic properties of HfO2 films
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300 $a 參考書目：葉127-133
314 $a 指導教授：胡裕民博士
328 $a 碩士論文--國立高雄大學應用物理學系碩士班
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