有關多重閘極金氧半場效電晶體次臨界行為與次臨界邏輯之解析模型 = Ana...
國立高雄大學電機工程學系碩士班

 

  • 有關多重閘極金氧半場效電晶體次臨界行為與次臨界邏輯之解析模型 = Analytical Model of Subthreshold Behavior and Subthreshold Logic for Multiple-Gate MOSFETs
  • Record Type: Language materials, printed : monographic
    Paralel Title: Analytical Model of Subthreshold Behavior and Subthreshold Logic for Multiple-Gate MOSFETs
    Author: 陳芷右,
    Secondary Intellectual Responsibility: 國立高雄大學
    Place of Publication: 高雄市
    Published: 撰者;
    Year of Publication: 2016[民105]
    Description: 173面圖,表格 : 30公分;
    Subject: 次臨界電流模型
    Subject: Subthreshold circuit model
    Online resource: http://handle.ncl.edu.tw/11296/ndltd/81569441063269751518
    Notes: 105年10月25日公開
    Notes: 參考書目: 面150-155
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310002644055 博碩士論文區(二樓) 不外借資料 學位論文 TH 008M/0019 542201 7544 2016 一般使用(Normal) On shelf 0
310002644063 博碩士論文區(二樓) 不外借資料 學位論文 TH 008M/0019 542201 7544 2016 c.2 一般使用(Normal) On shelf 0
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