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背面電壓調整之超薄絕緣層上矽場效電晶體其特性及可靠度分析 = The I...

吳昭霖

背面電壓調整之超薄絕緣層上矽場效電晶體其特性及可靠度分析 = The Investigation of Characteristic and Reliability for UTBBSOI with Different Back Bias Modulation

Record Type:	Language materials, printed : monographic
Paralel Title:	The Investigation of Characteristic and Reliability for UTBBSOI with Different Back Bias Modulation
Author:	吳昭霖,
Secondary Intellectual Responsibility:	國立高雄大學
Place of Publication:	高雄市
Published:	國立高雄大學;
Year of Publication:	2017[民106]
Description:	48葉圖，表 : 30公分;
Subject:	超薄絕緣層上矽場效電晶體
Subject:	UTBB-FDSOI
Online resource:	http://handle.ncl.edu.tw/11296/ndltd/41027194594615070826
Notes:	106年10月25日公開

背面電壓調整之超薄絕緣層上矽場效電晶體其特性及可靠度分析 = The Investigation of Characteristic and Reliability for UTBBSOI with Different Back Bias Modulation
吳, 昭霖

背面電壓調整之超薄絕緣層上矽場效電晶體其特性及可靠度分析 = The Investigation of Characteristic and Reliability for UTBBSOI with Different Back Bias Modulation / 吳昭霖撰 - 高雄市 : 國立高雄大學, 2017[民106]. - 48葉 ; 圖，表 ; 30公分.
106年10月25日公開.
參考書目: 葉47-48.
超薄絕緣層上矽場效電晶體UTBB-FDSOI

背面電壓調整之超薄絕緣層上矽場效電晶體其特性及可靠度分析 = The Investigation of Characteristic and Reliability for UTBBSOI with Different Back Bias Modulation
LDR:01286pam0a2200265 450 001 504015
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010 0 $b 精裝
010 0 $b 平裝
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105 $a ak am 000yy
200 1 $a 背面電壓調整之超薄絕緣層上矽場效電晶體其特性及可靠度分析 $d The Investigation of Characteristic and Reliability for UTBBSOI with Different Back Bias Modulation $z eng $f 吳昭霖撰
210 $a 高雄市 $c 國立高雄大學 $d 2017[民106]
215 0 $a 48葉 $c 圖，表 $d 30公分
300 $a 106年10月25日公開
314 $a 指導教授: 張文騰博士
320 $a 參考書目: 葉47-48
328 $a 碩士論文--國立高雄大學電機工程學系碩士班
510 1 $a The Investigation of Characteristic and Reliability for UTBBSOI with Different Back Bias Modulation $z eng
610 # 0 $a 超薄絕緣層上矽場效電晶體 $a 基板效應 $a 熱載子效應 $a 驅動電流 $a 次臨界擺幅 $a 臨界電壓
610 # 1 $a UTBB-FDSOI $a body effect $a hot carrier effect $a driving current $a subthreshold swing $a threshold voltage
681 $a 008M/0019 $b 542201 2661 $v 2007年版
700 1 $a 吳 $b 昭霖 $4 撰 $3 483188
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