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以超臨界流體技術發展奈米矽薄膜蝕刻剝離技術 = Development ...

國立高雄大學電機工程學系碩博士班

以超臨界流體技術發展奈米矽薄膜蝕刻剝離技術 = Development of Silicon Nanomembrane Epitaxial Lift-off Processes by Supercritical Fluids Technology

紀錄類型:	書目-語言資料,印刷品 : 單行本
並列題名:	Development of Silicon Nanomembrane Epitaxial Lift-off Processes by Supercritical Fluids Technology
作者:	王德暉,
其他團體作者:	國立高雄大學
出版地:	高雄市
出版者:	國立高雄大學;
出版年:	2018[民107]
面頁冊數:	98面圖，表格 : 30公分;
標題:	磊晶層剝離技術
標題:	Epitaxial Lift-off Technology
電子資源:	http://hdl.handle.net/11296/e4rd25
附註:	107年4月10日公開
附註:	參考書目：面84-88
附註:	附錄：超臨界二氧化碳處理氧化鋅

以超臨界流體技術發展奈米矽薄膜蝕刻剝離技術 = Development of Silicon Nanomembrane Epitaxial Lift-off Processes by Supercritical Fluids Technology
王, 德暉

以超臨界流體技術發展奈米矽薄膜蝕刻剝離技術 = Development of Silicon Nanomembrane Epitaxial Lift-off Processes by Supercritical Fluids Technology / 王德暉撰 - 高雄市 : 國立高雄大學, 2018[民107]. - 98面 ; 圖，表格 ; 30公分.
107年4月10日公開參考書目：面84-88附錄：超臨界二氧化碳處理氧化鋅.
磊晶層剝離技術Epitaxial Lift-off Technology

以超臨界流體技術發展奈米矽薄膜蝕刻剝離技術 = Development of Silicon Nanomembrane Epitaxial Lift-off Processes by Supercritical Fluids Technology
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300 $a 參考書目：面84-88
300 $a 附錄：超臨界二氧化碳處理氧化鋅
314 $a 指導教授：馮瑞陽博士
328 $a 碩士論文--國立高雄大學電機工程學系碩博士班
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610 # 1 $a Epitaxial Lift-off Technology $a Silicon On Insulator $a Silicon nanomembrane $a Supercritical carbon dioxide $a Hydrofluoric acid
681 $a 008M/0019 $b 542201 1026 $v 2007年版
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