國立高雄大學圖資館 |

Language: English

Back

不同主動區面積與不同鰭數目對Tri-Gate FinFET元件之電性分析...

國立高雄大學電機工程學系碩士班

不同主動區面積與不同鰭數目對Tri-Gate FinFET元件之電性分析及可靠度研究 = The Impact of Various Active Surface Area(SA) and Fin Number on Device Performance and Reliability of Tri-Gate FinFET

Record Type:	Language materials, printed : monographic
Paralel Title:	The Impact of Various Active Surface Area(SA) and Fin Number on Device Performance and Reliability of Tri-Gate FinFET
Author:	莊喬丰,
Secondary Intellectual Responsibility:	國立高雄大學
Place of Publication:	高雄市
Published:	國立高雄大學;
Year of Publication:	2018[民107]
Description:	74葉部分彩圖，表格 : 30公分;
Subject:	鰭式場效電晶體
Subject:	FinFET
Online resource:	https://hdl.handle.net/11296/j7ew8d
Notes:	107年11月1日公開
Notes:	參考書目：葉71-74

不同主動區面積與不同鰭數目對Tri-Gate FinFET元件之電性分析及可靠度研究 = The Impact of Various Active Surface Area(SA) and Fin Number on Device Performance and Reliability of Tri-Gate FinFET
莊, 喬丰

不同主動區面積與不同鰭數目對Tri-Gate FinFET元件之電性分析及可靠度研究 = The Impact of Various Active Surface Area(SA) and Fin Number on Device Performance and Reliability of Tri-Gate FinFET / 莊喬丰撰 - 高雄市 : 國立高雄大學, 2018[民107]. - 74葉 ; 部分彩圖，表格 ; 30公分.
107年11月1日公開參考書目：葉71-74.
鰭式場效電晶體FinFET

不同主動區面積與不同鰭數目對Tri-Gate FinFET元件之電性分析及可靠度研究 = The Impact of Various Active Surface Area(SA) and Fin Number on Device Performance and Reliability of Tri-Gate FinFET
LDR:01282pam0a2200277 450 001 526230
005 20190102101810.0
010 0 $b 精裝
010 0 $b 平裝
099 $a 106NUK00442005
100 $a 20181011y2018 k y0chiy50 e
101 1 $a chi $d chi $d eng
102 $a tw
105 $a ak am 000yy
200 1 $a 不同主動區面積與不同鰭數目對Tri-Gate FinFET元件之電性分析及可靠度研究 $d The Impact of Various Active Surface Area(SA) and Fin Number on Device Performance and Reliability of Tri-Gate FinFET $z eng $f 莊喬丰撰
210 $a 高雄市 $c 國立高雄大學 $d 2018[民107]
215 0 $a 74葉 $c 部分彩圖，表格 $d 30公分
300 $a 107年11月1日公開
300 $a 參考書目：葉71-74
314 $a 指導教授：葉文冠博士
328 $a 碩士論文--國立高雄大學電機工程學系碩士班
510 1 $a The Impact of Various Active Surface Area(SA) and Fin Number on Device Performance and Reliability of Tri-Gate FinFET $z eng
610 # 0 $a 鰭式場效電晶體 $a 淺溝槽隔離 $a 主動區面積 $a 接觸蝕刻停止層
610 # 1 $a FinFET $a STI $a Active Surface Area $a Contact Etch Stop Layer
681 $a 008M/0019 $b 542201 4425.1 $v 2007年版
700 1 $a 莊 $b 喬丰 $4 撰 $3 798907
712 0 2 $a 國立高雄大學 $b 電機工程學系碩士班 $3 166118
801 0 $a tw $b NUK $c 20181025 $g CCR
856 7 # $u https://hdl.handle.net/11296/j7ew8d $z 電子資源 $2 http