有關多重閘極金氧半場效電晶體次臨界行為及其應用在低功耗邏輯之解析模型 =...
國立高雄大學電機工程學系碩博士班

 

  • 有關多重閘極金氧半場效電晶體次臨界行為及其應用在低功耗邏輯之解析模型 = The Subthreshold Behavior Model for the Multiple-Gate MOSFETs and Its Application for Low-Power CMOS Logic Gate
  • 紀錄類型: 書目-語言資料,印刷品 : 單行本
    並列題名: The Subthreshold Behavior Model for the Multiple-Gate MOSFETs and Its Application for Low-Power CMOS Logic Gate
    作者: 柯盈彣,
    其他團體作者: 國立高雄大學
    出版地: 高雄市
    出版者: 國立高雄大學;
    出版年: 2018[民107]
    面頁冊數: xiii,152葉圖 : 30公分;
    標題: 次臨界行為
    標題: Subthreshold Logic circuit
    電子資源: https://hdl.handle.net/11296/dku6k9
    附註: 110年12月1日公開
    附註: 參考書目:葉145-150
館藏
  • 2 筆 • 頁數 1 •
 
310002987975 博碩士論文區(二樓) 不外借資料 學位論文 TH 008M/0019 542201 4110 2018 一般使用(Normal) 在架 0
310002987983 博碩士論文區(二樓) 不外借資料 學位論文 TH 008M/0019 542201 4110 2018 c.2 一般使用(Normal) 在架 0
  • 2 筆 • 頁數 1 •
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