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在p層和藍寶石基板上使用多層石墨烯透明電極的氮化銦鎵/氮化鎵多重量子井發...

國立高雄大學應用物理學系碩士班

在p層和藍寶石基板上使用多層石墨烯透明電極的氮化銦鎵/氮化鎵多重量子井發光二極體中增強元件性能和載子傳輸 = Enhancement of device performance and carrier transport in InGaN/GaN multiple-quantum well light emitting diodes with multilayer graphene transparent electrodes on the p-layer and on the sapphire substrate

Record Type:	Language materials, printed : monographic
Paralel Title:	Enhancement of device performance and carrier transport in InGaN/GaN multiple-quantum well light emitting diodes with multilayer graphene transparent electrodes on the p-layer and on the sapphire substrate
Author:	王盈翔,
Secondary Intellectual Responsibility:	國立高雄大學
Place of Publication:	高雄市
Published:	國立高雄大學;
Year of Publication:	2018[民107]
Description:	[13]，74葉圖 : 30公分;
Subject:	氮化銦鎵/氮化鎵量子井外延層發光二極體
Subject:	InGaN/GaN MQW epilayers LEDs
Online resource:	https://hdl.handle.net/11296/utvzf6
Notes:	109年11月18日公開
Notes:	參考書目：葉45-46

在p層和藍寶石基板上使用多層石墨烯透明電極的氮化銦鎵/氮化鎵多重量子井發光二極體中增強元件性能和載子傳輸 = Enhancement of device performance and carrier transport in InGaN/GaN multiple-quantum well light emitting diodes with multilayer graphene transparent electrodes on the p-layer and on the sapphire substrate
王, 盈翔

在p層和藍寶石基板上使用多層石墨烯透明電極的氮化銦鎵/氮化鎵多重量子井發光二極體中增強元件性能和載子傳輸 = Enhancement of device performance and carrier transport in InGaN/GaN multiple-quantum well light emitting diodes with multilayer graphene transparent electrodes on the p-layer and on the sapphire substrate / 王盈翔撰 - 高雄市 : 國立高雄大學, 2018[民107]. - [13]，74葉 ; 圖 ; 30公分.
109年11月18日公開參考書目：葉45-46.
氮化銦鎵/氮化鎵量子井外延層發光二極體InGaN/GaN MQW epilayers LEDs

在p層和藍寶石基板上使用多層石墨烯透明電極的氮化銦鎵/氮化鎵多重量子井發光二極體中增強元件性能和載子傳輸 = Enhancement of device performance and carrier transport in InGaN/GaN multiple-quantum well light emitting diodes with multilayer graphene transparent electrodes on the p-layer and on the sapphire substrate
LDR:01622pam0a2200265 450 001 526426
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010 0 $b 精裝
010 0 $b 平裝
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210 $a 高雄市 $c 國立高雄大學 $d 2018[民107]
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300 $a 109年11月18日公開
300 $a 參考書目：葉45-46
314 $a 指導教授：馮世維博士
328 $a 碩士論文--國立高雄大學應用物理學系碩士班
510 1 $a Enhancement of device performance and carrier transport in InGaN/GaN multiple-quantum well light emitting diodes with multilayer graphene transparent electrodes on the p-layer and on the sapphire substrate $z eng
610 # 0 $a 氮化銦鎵/氮化鎵量子井外延層發光二極體 $a 響應時間 $a 載子傳輸 $a 多層石墨烯透明電極 $a 氮化銦鎵/氮化鎵量子井發光二極體
610 # 1 $a InGaN/GaN MQW epilayers LEDs $a Response Time $a Carrier Transport $a Multilayer graphene transparent electrodes $a InGaN/GaN MQW LEDs
681 $a 008M/0019 $b 423203 1018 $v 2007年版
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856 7 # $u https://hdl.handle.net/11296/utvzf6 $z 電子資源 $2 http