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奈米大氣通道閘共面場發射元件之特性研究 = Characteristic...

國立高雄大學電機工程學系碩博士班

奈米大氣通道閘共面場發射元件之特性研究 = Characteristics of Nanoscale Air-channel Field Emission Devices with Coplanar Gates

Record Type:	Language materials, printed : monographic
Paralel Title:	Characteristics of Nanoscale Air-channel Field Emission Devices with Coplanar Gates
Author:	鮑柏亨,
Secondary Intellectual Responsibility:	國立高雄大學
Place of Publication:	高雄市
Published:	國立高雄大學;
Year of Publication:	2019[民108]
Description:	59葉部分彩圖，表格 : 30公分;
Subject:	真空通道電晶體
Subject:	Vacuum-channel Transistor
Online resource:	http://handle.ncl.edu.tw/11296/5agp8e
Notes:	108年10月31日公開
Notes:	參考書目: 葉49-51

奈米大氣通道閘共面場發射元件之特性研究 = Characteristics of Nanoscale Air-channel Field Emission Devices with Coplanar Gates
鮑, 柏亨

奈米大氣通道閘共面場發射元件之特性研究 = Characteristics of Nanoscale Air-channel Field Emission Devices with Coplanar Gates / 鮑柏亨撰 - 高雄市 : 國立高雄大學, 2019[民108]. - 59葉 ; 部分彩圖，表格 ; 30公分.
108年10月31日公開參考書目: 葉49-51.
真空通道電晶體Vacuum-channel Transistor

奈米大氣通道閘共面場發射元件之特性研究 = Characteristics of Nanoscale Air-channel Field Emission Devices with Coplanar Gates
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300 $a 參考書目: 葉49-51
314 $a 指導教授: 張文騰博士
328 $a 碩士論文--國立高雄大學電機工程學系碩博士班
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