國立高雄大學圖資館 |

Language: English

Back

功函數金屬厚度調變對N型多重鰭數鰭式場效電晶體之元件特性和可靠度研究 ...

國立高雄大學電機工程學系碩博士班

功函數金屬厚度調變對N型多重鰭數鰭式場效電晶體之元件特性和可靠度研究 = The Device Performance and Reliability Study on N-type Multi-Fin FinFET Structure by Adopting Metal Gate Multi Work Function Thickness Engineering

Record Type:	Language materials, printed : monographic
Paralel Title:	The Device Performance and Reliability Study on N-type Multi-Fin FinFET Structure by Adopting Metal Gate Multi Work Function Thickness Engineering
Author:	林文欽,
Secondary Intellectual Responsibility:	國立高雄大學
Place of Publication:	高雄市
Published:	國立高雄大學;
Year of Publication:	2019[民108]
Description:	15, 85葉圖 : 30公分;
Subject:	鰭式場效電晶體
Subject:	FinFET
Online resource:	http://handle.ncl.edu.tw/11296/7nt5yn
Notes:	113年10月1日公開
Notes:	參考書目: 葉83-85

功函數金屬厚度調變對N型多重鰭數鰭式場效電晶體之元件特性和可靠度研究 = The Device Performance and Reliability Study on N-type Multi-Fin FinFET Structure by Adopting Metal Gate Multi Work Function Thickness Engineering
林, 文欽

功函數金屬厚度調變對N型多重鰭數鰭式場效電晶體之元件特性和可靠度研究 = The Device Performance and Reliability Study on N-type Multi-Fin FinFET Structure by Adopting Metal Gate Multi Work Function Thickness Engineering / 林文欽撰 - 高雄市 : 國立高雄大學, 2019[民108]. - 15, 85葉 ; 圖 ; 30公分.
113年10月1日公開參考書目: 葉83-85.
鰭式場效電晶體FinFET

功函數金屬厚度調變對N型多重鰭數鰭式場效電晶體之元件特性和可靠度研究 = The Device Performance and Reliability Study on N-type Multi-Fin FinFET Structure by Adopting Metal Gate Multi Work Function Thickness Engineering
LDR:01401pam0a2200277 450 001 551764
005 20240930085812.0
010 0 $b 精裝
010 0 $b 平裝
099 $a 107NUK00442020
100 $a 20191025y2019 k y0chiy50 e
101 0 $a chi $d chi $d eng
102 $a tw
105 $a a am 000yy
200 1 $a 功函數金屬厚度調變對N型多重鰭數鰭式場效電晶體之元件特性和可靠度研究 $d The Device Performance and Reliability Study on N-type Multi-Fin FinFET Structure by Adopting Metal Gate Multi Work Function Thickness Engineering $z eng $f 林文欽撰
210 $a 高雄市 $c 國立高雄大學 $d 2019[民108]
215 0 $a 15, 85葉 $c 圖 $d 30公分
300 $a 113年10月1日公開
300 $a 參考書目: 葉83-85
314 $a 指導教授: 葉文冠博士
328 $a 碩士論文--國立高雄大學電機工程學系碩博士班
510 1 $a The Device Performance and Reliability Study on N-type Multi-Fin FinFET Structure by Adopting Metal Gate Multi Work Function Thickness Engineering $z eng
610 # 0 $a 鰭式場效電晶體 $a 熱載子效應 $a 通道長度 $a 多重鰭結構 $a 耦合效應 $a 功函數金屬
610 # 1 $a FinFET $a Hot carrier effect $a Gate length $a Multiple fin structure $a Coupling effect $a Work function metal
681 $a 008M/0019 $b 542201 4408.2 $v 2007年版
700 1 $a 林 $b 文欽 $4 撰 $3 50706
712 0 2 $a 國立高雄大學 $b 電機工程學系碩博士班 $3 769000
801 0 $a tw $b NUK $c 20191025 $g CCR
856 7 # $u http://handle.ncl.edu.tw/11296/7nt5yn $z 電子資源 $2 http