Ferroelectric-gate field effect tran...
Park, Byung-Eun.

 

  • Ferroelectric-gate field effect transistor memoriesdevice physics and applications /
  • 紀錄類型: 書目-電子資源 : Monograph/item
    正題名/作者: Ferroelectric-gate field effect transistor memoriesedited by Byung-Eun Park ... [et al.].
    其他題名: device physics and applications /
    其他作者: Park, Byung-Eun.
    出版者: Singapore :Springer Singapore :2020.
    面頁冊數: xiv, 425 p. :ill., digital ;24 cm.
    Contained By: Springer eBooks
    標題: Field-effect transistors.
    電子資源: https://doi.org/10.1007/978-981-15-1212-4
    ISBN: 9789811512124$q(electronic bk.)
館藏
  • 1 筆 • 頁數 1 •
 
000000179551 電子館藏 1圖書 電子書 EB TK7871.95 .F395 2020 2020 一般使用(Normal) 在架 0
  • 1 筆 • 頁數 1 •
評論
Export
取書館別
 
 
變更密碼
登入