有關穿透式場效電晶體含混合型與多重閘極元件及四重閘極金氧半場效電晶體組成...
國立高雄大學電機工程學系碩博士班

 

  • 有關穿透式場效電晶體含混合型與多重閘極元件及四重閘極金氧半場效電晶體組成低功耗邏輯閘之解析模型 = Analytical Model of Multiple-gate/Hybrid-gate Tunnel FETs and Low-Power Logic Gate for Quadruple-gate MOSFETs
  • 紀錄類型: 書目-語言資料,印刷品 : 單行本
    並列題名: Analytical Model of Multiple-gate/Hybrid-gate Tunnel FETs and Low-Power Logic Gate for Quadruple-gate MOSFETs
    作者: 蘇士恩,
    其他團體作者: 國立高雄大學
    出版地: 高雄市
    出版者: 國立高雄大學;
    出版年: 2020[民109]
    面頁冊數: [13],162面圖 : 30公分;
    標題: 微縮理論
    標題: Scaling Theory
    電子資源: https://handle.ncl.edu.tw/11296/6n64qr
    附註: 109年11月18日公開
    附註: 參考書目:面138-145
館藏
  • 2 筆 • 頁數 1 •
 
310002928193 博碩士論文區(二樓) 不外借資料 學位論文 TH 008M/0019 542201 4446 2020 一般使用(Normal) 在架 0
310002928201 博碩士論文區(二樓) 不外借資料 學位論文 TH 008M/0019 542201 4446 2020 c.2 一般使用(Normal) 在架 0
  • 2 筆 • 頁數 1 •
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