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快速熱退火處理對於負電容場效電晶體之電性分析及可靠度研究 = The D...

國立高雄大學電機工程學系碩博士班

快速熱退火處理對於負電容場效電晶體之電性分析及可靠度研究 = The Device Performance and Reliability of NCFET with post Rapid Thermal Annealing Treatment

Record Type:	Language materials, printed : monographic
Paralel Title:	The Device Performance and Reliability of NCFET with post Rapid Thermal Annealing Treatment
Author:	顏伸亦,
Secondary Intellectual Responsibility:	國立高雄大學
Place of Publication:	高雄市
Published:	國立高雄大學;
Year of Publication:	2020[民109]
Description:	xi,58葉圖 : 30公分;
Subject:	負電容場效電晶體
Subject:	NCFET
Online resource:	https://handle.ncl.edu.tw/11296/gkjdj7
Notes:	114年9月26日公開
Notes:	參考書目: 葉54-58

快速熱退火處理對於負電容場效電晶體之電性分析及可靠度研究 = The Device Performance and Reliability of NCFET with post Rapid Thermal Annealing Treatment
顏, 伸亦

快速熱退火處理對於負電容場效電晶體之電性分析及可靠度研究 = The Device Performance and Reliability of NCFET with post Rapid Thermal Annealing Treatment / 顏伸亦撰 - 高雄市 : 國立高雄大學, 2020[民109]. - xi,58葉 ; 圖 ; 30公分.
114年9月26日公開參考書目: 葉54-58.
負電容場效電晶體NCFET

快速熱退火處理對於負電容場效電晶體之電性分析及可靠度研究 = The Device Performance and Reliability of NCFET with post Rapid Thermal Annealing Treatment
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010 0 $b 平裝
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300 $a 參考書目: 葉54-58
314 $a 指導教授: 葉文冠博士
328 $a 碩士論文--國立高雄大學電機工程學系碩博士班
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610 0 $a 負電容場效電晶體 $a 負偏壓溫度不穩定性 $a 熱載子注入 $a 介面層缺陷 $a 快速熱退火
610 1 $a NCFET $a NBTI $a HCI $a Interface defect $a RTA
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