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於超臨界二氧化碳下展演低濃度氫氟酸高效蝕刻剝離奈米矽薄膜之技術及其機制之...
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國立高雄大學電機工程學系碩博士班
於超臨界二氧化碳下展演低濃度氫氟酸高效蝕刻剝離奈米矽薄膜之技術及其機制之研究 = Technology for Silicon Nanomembrane by using Low Concentration Hydrofluoric under Supercritical Carbon Dioxide and its Mechanism Study
Record Type:
Language materials, printed : monographic
Paralel Title:
Technology for Silicon Nanomembrane by using Low Concentration Hydrofluoric under Supercritical Carbon Dioxide and its Mechanism Study
Author:
許竣凱,
Secondary Intellectual Responsibility:
國立高雄大學
Place of Publication:
高雄市
Published:
國立高雄大學;
Year of Publication:
2020[民109]
Description:
[15],122面圖,表 : 30公分;
Subject:
磊晶層剝離技術
Subject:
epitaxial lift-off
Online resource:
https://handle.ncl.edu.tw/11296/er65xs
Notes:
109年11月18日公開
Notes:
參考書目:面102-105
於超臨界二氧化碳下展演低濃度氫氟酸高效蝕刻剝離奈米矽薄膜之技術及其機制之研究 = Technology for Silicon Nanomembrane by using Low Concentration Hydrofluoric under Supercritical Carbon Dioxide and its Mechanism Study
許, 竣凱
於超臨界二氧化碳下展演低濃度氫氟酸高效蝕刻剝離奈米矽薄膜之技術及其機制之研究
= Technology for Silicon Nanomembrane by using Low Concentration Hydrofluoric under Supercritical Carbon Dioxide and its Mechanism Study / 許竣凱撰 - 高雄市 : 國立高雄大學, 2020[民109]. - [15],122面 ; 圖,表 ; 30公分.
109年11月18日公開參考書目:面102-105.
磊晶層剝離技術epitaxial lift-off
於超臨界二氧化碳下展演低濃度氫氟酸高效蝕刻剝離奈米矽薄膜之技術及其機制之研究 = Technology for Silicon Nanomembrane by using Low Concentration Hydrofluoric under Supercritical Carbon Dioxide and its Mechanism Study
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指導教授:馮瑞陽博士
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博碩士論文區(二樓)
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