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於超臨界二氧化碳下展演低濃度氫氟酸高效蝕刻剝離奈米矽薄膜之技術及其機制之...

國立高雄大學電機工程學系碩博士班

於超臨界二氧化碳下展演低濃度氫氟酸高效蝕刻剝離奈米矽薄膜之技術及其機制之研究 = Technology for Silicon Nanomembrane by using Low Concentration Hydrofluoric under Supercritical Carbon Dioxide and its Mechanism Study

紀錄類型:	書目-語言資料,印刷品 : 單行本
並列題名:	Technology for Silicon Nanomembrane by using Low Concentration Hydrofluoric under Supercritical Carbon Dioxide and its Mechanism Study
作者:	許竣凱,
其他團體作者:	國立高雄大學
出版地:	高雄市
出版者:	國立高雄大學;
出版年:	2020[民109]
面頁冊數:	[15]，122面圖，表 : 30公分;
標題:	磊晶層剝離技術
標題:	epitaxial lift-off
電子資源:	https://handle.ncl.edu.tw/11296/er65xs
附註:	109年11月18日公開
附註:	參考書目：面102-105

於超臨界二氧化碳下展演低濃度氫氟酸高效蝕刻剝離奈米矽薄膜之技術及其機制之研究 = Technology for Silicon Nanomembrane by using Low Concentration Hydrofluoric under Supercritical Carbon Dioxide and its Mechanism Study
許, 竣凱

於超臨界二氧化碳下展演低濃度氫氟酸高效蝕刻剝離奈米矽薄膜之技術及其機制之研究 = Technology for Silicon Nanomembrane by using Low Concentration Hydrofluoric under Supercritical Carbon Dioxide and its Mechanism Study / 許竣凱撰 - 高雄市 : 國立高雄大學, 2020[民109]. - [15]，122面 ; 圖，表 ; 30公分.
109年11月18日公開參考書目：面102-105.
磊晶層剝離技術epitaxial lift-off

於超臨界二氧化碳下展演低濃度氫氟酸高效蝕刻剝離奈米矽薄膜之技術及其機制之研究 = Technology for Silicon Nanomembrane by using Low Concentration Hydrofluoric under Supercritical Carbon Dioxide and its Mechanism Study
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314 $a 指導教授：馮瑞陽博士
328 $a 碩士論文--國立高雄大學電機工程學系碩博士班
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681 $a 008M/0019 $b 542201 0802.1 $v 2007年版
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