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有關橢圓形環繞閘極金氧半場效電晶體次臨界行為及其應用在低功耗邏輯之解析模...

國立高雄大學電機工程學系碩博士班

有關橢圓形環繞閘極金氧半場效電晶體次臨界行為及其應用在低功耗邏輯之解析模型 = The Subthreshold Behavior Model for the Elliptical Gate-All-Around MOSFETs and Its Application for Low-Power CMOS Logic Gate

紀錄類型:	書目-語言資料,印刷品 : 單行本
並列題名:	The Subthreshold Behavior Model for the Elliptical Gate-All-Around MOSFETs and Its Application for Low-Power CMOS Logic Gate
作者:	姜昱宇,
其他團體作者:	國立高雄大學
出版地:	高雄市
出版者:	國立高雄大學;
出版年:	2021[民110]
面頁冊數:	166面圖 : 30公分;
標題:	橢圓形環繞閘極金氧半場效電晶體
標題:	EGAA MOSFETs
電子資源:	https://hdl.handle.net/11296/sba6wb
附註:	110年12月1日公開
附註:	參考書目：面145-150

有關橢圓形環繞閘極金氧半場效電晶體次臨界行為及其應用在低功耗邏輯之解析模型 = The Subthreshold Behavior Model for the Elliptical Gate-All-Around MOSFETs and Its Application for Low-Power CMOS Logic Gate
姜, 昱宇

有關橢圓形環繞閘極金氧半場效電晶體次臨界行為及其應用在低功耗邏輯之解析模型 = The Subthreshold Behavior Model for the Elliptical Gate-All-Around MOSFETs and Its Application for Low-Power CMOS Logic Gate / 姜昱宇撰 - 高雄市 : 國立高雄大學, 2021[民110]. - 166面 ; 圖 ; 30公分.
110年12月1日公開參考書目：面145-150.
橢圓形環繞閘極金氧半場效電晶體EGAA MOSFETs

有關橢圓形環繞閘極金氧半場效電晶體次臨界行為及其應用在低功耗邏輯之解析模型 = The Subthreshold Behavior Model for the Elliptical Gate-All-Around MOSFETs and Its Application for Low-Power CMOS Logic Gate
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300 $a 參考書目：面145-150
314 $a 指導教授：江德光博士
328 $a 碩士論文--國立高雄大學電機工程學系碩博士班
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610 # 0 $a 橢圓形環繞閘極金氧半場效電晶體 $a 微縮理論 $a 短通道效應 $a 次臨界行為 $a 次臨界邏輯電路
610 # 1 $a EGAA MOSFETs $a Scaling Theory $a Short-Channel Effects $a Subthreshold behavior $a Subthreshold Logic circuit
681 $a 008M/0019 $b 542201 8063 $v 2007年版
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856 7 # $u https://hdl.handle.net/11296/sba6wb $z 電子資源 $2 http