有關橢圓形環繞閘極金氧半場效電晶體次臨界行為及其應用在低功耗邏輯之解析模...
國立高雄大學電機工程學系碩博士班

 

  • 有關橢圓形環繞閘極金氧半場效電晶體次臨界行為及其應用在低功耗邏輯之解析模型 = The Subthreshold Behavior Model for the Elliptical Gate-All-Around MOSFETs and Its Application for Low-Power CMOS Logic Gate
  • Record Type: Language materials, printed : monographic
    Paralel Title: The Subthreshold Behavior Model for the Elliptical Gate-All-Around MOSFETs and Its Application for Low-Power CMOS Logic Gate
    Author: 姜昱宇,
    Secondary Intellectual Responsibility: 國立高雄大學
    Place of Publication: 高雄市
    Published: 國立高雄大學;
    Year of Publication: 2021[民110]
    Description: 166面圖 : 30公分;
    Subject: 橢圓形環繞閘極金氧半場效電晶體
    Subject: EGAA MOSFETs
    Online resource: https://hdl.handle.net/11296/sba6wb
    Notes: 110年12月1日公開
    Notes: 參考書目:面145-150
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310002986258 博碩士論文區(二樓) 不外借資料 學位論文 TH 008M/0019 542201 8063 2021 一般使用(Normal) On shelf 0
310002986266 博碩士論文區(二樓) 不外借資料 學位論文 TH 008M/0019 542201 8063 2021 c.2 一般使用(Normal) On shelf 0
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