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氟離子電漿處理對於鐵電場效電晶體之電性分析及可靠度研究 = The De...

國立高雄大學電機工程學系碩博士班

氟離子電漿處理對於鐵電場效電晶體之電性分析及可靠度研究 = The Device Performance and Reliability of FeFET with post Fluorine Plasma Treatment

Record Type:	Language materials, printed : monographic
Paralel Title:	The Device Performance and Reliability of FeFET with post Fluorine Plasma Treatment
Author:	黃柏融,
Secondary Intellectual Responsibility:	國立高雄大學
Place of Publication:	高雄市
Published:	國立高雄大學;
Year of Publication:	2021[民110]
Description:	xii,70葉圖，表 : 30公分;
Subject:	鐵電場效電晶體
Subject:	FeFET
Online resource:	https://hdl.handle.net/11296/hgf74n
Notes:	110年12月1日公開
Notes:	參考書目：葉53-58

氟離子電漿處理對於鐵電場效電晶體之電性分析及可靠度研究 = The Device Performance and Reliability of FeFET with post Fluorine Plasma Treatment
黃, 柏融

氟離子電漿處理對於鐵電場效電晶體之電性分析及可靠度研究 = The Device Performance and Reliability of FeFET with post Fluorine Plasma Treatment / 黃柏融撰 - 高雄市 : 國立高雄大學, 2021[民110]. - xii,70葉 ; 圖，表 ; 30公分.
110年12月1日公開參考書目：葉53-58.
鐵電場效電晶體FeFET

氟離子電漿處理對於鐵電場效電晶體之電性分析及可靠度研究 = The Device Performance and Reliability of FeFET with post Fluorine Plasma Treatment
LDR:01268pam0a2200265 450 001 601003
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010 0 $b 精裝
010 0 $b 平裝
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300 $a 110年12月1日公開
300 $a 參考書目：葉53-58
314 $a 指導教授：陳春僥博士，葉文冠博士
328 $a 碩士論文--國立高雄大學電機工程學系碩博士班
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610 # 0 $a 鐵電場效電晶體 $a 氧化鉿鋯 $a 氟離子電漿 $a 負偏壓溫度不穩定性 $a 熱載子注入 $a 介面層缺陷
610 # 1 $a FeFET $a HZO $a Fluorine plasma $a Negative-bias temperature instability $a Hot carrier injection $a Interface defect
681 $a 008M/0019 $b 542201 4441.5 $v 2007年版
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