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快速熱退火與氟離子電漿對不同鰭寬度的鐵電場效電晶體之電性分析及HCI可靠...

國立高雄大學電機工程學系碩博士班

快速熱退火與氟離子電漿對不同鰭寬度的鐵電場效電晶體之電性分析及HCI可靠度研究 = The Impact of RTA and Fluorine Plasma Treatment on the Device Performance and HCI Reliability of FeFET with different fin widths

紀錄類型:	書目-語言資料,印刷品 : 單行本
並列題名:	The Impact of RTA and Fluorine Plasma Treatment on the Device Performance and HCI Reliability of FeFET with different fin widths
作者:	李芳議,
其他團體作者:	國立高雄大學
出版地:	高雄市
出版者:	國立高雄大學;
出版年:	2021[民110]
面頁冊數:	xi,69葉圖，表 : 30公分;
標題:	介面層缺陷
標題:	FeFET
電子資源:	https://hdl.handle.net/11296/7gb437
附註:	110年12月1日公開
附註:	參考書目：葉51-58

快速熱退火與氟離子電漿對不同鰭寬度的鐵電場效電晶體之電性分析及HCI可靠度研究 = The Impact of RTA and Fluorine Plasma Treatment on the Device Performance and HCI Reliability of FeFET with different fin widths
李, 芳議

快速熱退火與氟離子電漿對不同鰭寬度的鐵電場效電晶體之電性分析及HCI可靠度研究 = The Impact of RTA and Fluorine Plasma Treatment on the Device Performance and HCI Reliability of FeFET with different fin widths / 李芳議撰 - 高雄市 : 國立高雄大學, 2021[民110]. - xi,69葉 ; 圖，表 ; 30公分.
110年12月1日公開參考書目：葉51-58.
介面層缺陷FeFET

快速熱退火與氟離子電漿對不同鰭寬度的鐵電場效電晶體之電性分析及HCI可靠度研究 = The Impact of RTA and Fluorine Plasma Treatment on the Device Performance and HCI Reliability of FeFET with different fin widths
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300 $a 參考書目：葉51-58
314 $a 指導教授：陳春僥博士，葉文冠博士
328 $a 碩士論文--國立高雄大學電機工程學系碩博士班
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