國立高雄大學圖資館 |

Language: English

Back

閘極堆疊式功函數金屬鰭式場效電晶體的電性特性 = Characteris...

國立高雄大學

閘極堆疊式功函數金屬鰭式場效電晶體的電性特性 = Characteristics of work function metals stack on gate of FinFETs

Record Type:	Language materials, printed : monographic
Paralel Title:	Characteristics of work function metals stack on gate of FinFETs
Author:	李孟禧,
Secondary Intellectual Responsibility:	國立高雄大學
Place of Publication:	高雄市
Published:	國立高雄大學;
Year of Publication:	2021[民110]
Description:	vii,57葉圖，表 : 30公分;
Subject:	堆疊式金屬閘極鰭式電晶體
Subject:	metal gate FinFET
Online resource:	https://hdl.handle.net/11296/rnsj7e
Notes:	110年12月1日公開
Notes:	參考書目：葉47-49

閘極堆疊式功函數金屬鰭式場效電晶體的電性特性 = Characteristics of work function metals stack on gate of FinFETs
李, 孟禧

閘極堆疊式功函數金屬鰭式場效電晶體的電性特性 = Characteristics of work function metals stack on gate of FinFETs / 李孟禧撰 - 高雄市 : 國立高雄大學, 2021[民110]. - vii,57葉 ; 圖，表 ; 30公分.
110年12月1日公開參考書目：葉47-49.
堆疊式金屬閘極鰭式電晶體metal gate FinFET

閘極堆疊式功函數金屬鰭式場效電晶體的電性特性 = Characteristics of work function metals stack on gate of FinFETs
LDR:01155pam0a2200265 450 001 601033
005 20220310115417.0
010 0 $b 精裝
010 0 $b 平裝
100 $a 20211105y2021 k y0chiy50 e
101 1 $a chi $d chi $d eng
102 $a tw
105 $a ak am 000yy
200 1 $a 閘極堆疊式功函數金屬鰭式場效電晶體的電性特性 $d Characteristics of work function metals stack on gate of FinFETs $z eng $f 李孟禧撰
210 $a 高雄市 $c 國立高雄大學 $d 2021[民110]
215 0 $a vii,57葉 $c 圖，表 $d 30公分
300 $a 110年12月1日公開
300 $a 參考書目：葉47-49
314 $a 指導教授：張文騰博士
328 $a 碩士論文--國立高雄大學電機工程學系碩博士班
510 1 $a Characteristics of work function metals stack on gate of FinFETs $z eng
610 # 0 $a 堆疊式金屬閘極鰭式電晶體 $a 閘極功函數 $a 漏致勢壘降低效應 $a 臨界電壓
610 # 1 $a metal gate FinFET $a Gate workfunction $a drain induced barrier lowering $a threshold voltage
681 $a 008M/0019 $b 542201 4013.1 $v 2007年版
700 1 $a 李 $b 孟禧 $4 撰 $3 895757
712 0 2 $a 國立高雄大學 $3 65021
801 0 $a tw $b NUK $c 20211105 $g CCR
856 7 # $u https://hdl.handle.net/11296/rnsj7e $z 電子資源 $2 http