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寬帶隙半導體氧化鎵薄膜進行摻雜之特性分析及元件製造 = Analyses...

國立高雄大學化學工程及材料工程學系碩士班

寬帶隙半導體氧化鎵薄膜進行摻雜之特性分析及元件製造 = Analyses of Properties and Fabrications of Devices for Doped Ga2O3 WideBand-gap Semiconductor Thin Film

Record Type:	Language materials, printed : monographic
Paralel Title:	Analyses of Properties and Fabrications of Devices for Doped Ga2O3 WideBand-gap Semiconductor Thin Film
Author:	林庭宇,
Secondary Intellectual Responsibility:	國立高雄大學
Place of Publication:	高雄市
Published:	國立高雄大學;
Year of Publication:	2022[民111]
Description:	xi,89葉圖，表 : 30公分;
Subject:	電子束蒸鍍
Subject:	electron beam epvaoration(EBE)
Online resource:	https://hdl.handle.net/11296/yh99ax
Notes:	111年12月1日公開
Notes:	參考書目：葉85-89

寬帶隙半導體氧化鎵薄膜進行摻雜之特性分析及元件製造 = Analyses of Properties and Fabrications of Devices for Doped Ga2O3 WideBand-gap Semiconductor Thin Film
林, 庭宇

寬帶隙半導體氧化鎵薄膜進行摻雜之特性分析及元件製造 = Analyses of Properties and Fabrications of Devices for Doped Ga2O3 WideBand-gap Semiconductor Thin Film / 林庭宇撰 - 高雄市 : 國立高雄大學, 2022[民111]. - xi,89葉 ; 圖，表 ; 30公分.
111年12月1日公開參考書目：葉85-89.
電子束蒸鍍electron beam epvaoration(EBE)

寬帶隙半導體氧化鎵薄膜進行摻雜之特性分析及元件製造 = Analyses of Properties and Fabrications of Devices for Doped Ga2O3 WideBand-gap Semiconductor Thin Film
LDR:01224pam0a2200265 450 001 617278
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010 0 $b 精裝
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200 1 $a 寬帶隙半導體氧化鎵薄膜進行摻雜之特性分析及元件製造 $d Analyses of Properties and Fabrications of Devices for Doped Ga2O3 WideBand-gap Semiconductor Thin Film $z eng $f 林庭宇撰
210 $a 高雄市 $c 國立高雄大學 $d 2022[民111]
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300 $a 111年12月1日公開
300 $a 參考書目：葉85-89
314 $a 指導教授：楊證富博士
328 $a 碩士論文--國立高雄大學化學工程及材料工程學系碩士班
510 1 $a Analyses of Properties and Fabrications of Devices for Doped Ga2O3 WideBand-gap Semiconductor Thin Film $z eng
610 # 0 $a 電子束蒸鍍 $a 氧化鎵 $a 摻雜 $a 能隙 $a 薄膜電晶體
610 # 1 $a electron beam epvaoration(EBE) $a gallium oxide $a doping $a energy gap $a thin film transistor(TFT)
681 $a 008M/0019 $b 541208 4403.2 $v 2007年版
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