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寬帶隙半導體氧化鎵薄膜進行摻雜之特性分析及元件製造 = Analyses...
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國立高雄大學化學工程及材料工程學系碩士班
寬帶隙半導體氧化鎵薄膜進行摻雜之特性分析及元件製造 = Analyses of Properties and Fabrications of Devices for Doped Ga2O3 WideBand-gap Semiconductor Thin Film
紀錄類型:
書目-語言資料,印刷品 : 單行本
並列題名:
Analyses of Properties and Fabrications of Devices for Doped Ga2O3 WideBand-gap Semiconductor Thin Film
作者:
林庭宇,
其他團體作者:
國立高雄大學
出版地:
高雄市
出版者:
國立高雄大學;
出版年:
2022[民111]
面頁冊數:
xi,89葉圖,表 : 30公分;
標題:
電子束蒸鍍
標題:
electron beam epvaoration(EBE)
電子資源:
https://hdl.handle.net/11296/yh99ax
附註:
111年12月1日公開
附註:
參考書目:葉85-89
寬帶隙半導體氧化鎵薄膜進行摻雜之特性分析及元件製造 = Analyses of Properties and Fabrications of Devices for Doped Ga2O3 WideBand-gap Semiconductor Thin Film
林, 庭宇
寬帶隙半導體氧化鎵薄膜進行摻雜之特性分析及元件製造
= Analyses of Properties and Fabrications of Devices for Doped Ga2O3 WideBand-gap Semiconductor Thin Film / 林庭宇撰 - 高雄市 : 國立高雄大學, 2022[民111]. - xi,89葉 ; 圖,表 ; 30公分.
111年12月1日公開參考書目:葉85-89.
電子束蒸鍍electron beam epvaoration(EBE)
寬帶隙半導體氧化鎵薄膜進行摻雜之特性分析及元件製造 = Analyses of Properties and Fabrications of Devices for Doped Ga2O3 WideBand-gap Semiconductor Thin Film
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指導教授:楊證富博士
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碩士論文--國立高雄大學化學工程及材料工程學系碩士班
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博碩士論文區(二樓)
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310003027771
博碩士論文區(二樓)
不外借資料
學位論文
TH 008M/0019 541208 4403.2 2022
一般使用(Normal)
在架
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310003027789
博碩士論文區(二樓)
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學位論文
TH 008M/0019 541208 4403.2 2022 c.2
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https://hdl.handle.net/11296/yh99ax
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