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氧化鎵阻障層應用於鉺摻雜氧化鋅鎂二極體研究 = Study of Ga2...

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國立高雄大學電機工程學系碩博士班

氧化鎵阻障層應用於鉺摻雜氧化鋅鎂二極體研究 = Study of Ga2O3 Barrier Layer on Er Doped MgZnO Diode

Record Type:	Language materials, printed : monographic
Paralel Title:	Study of Ga2O3 Barrier Layer on Er Doped MgZnO Diode
Author:	應世偉,
Secondary Intellectual Responsibility:	國立高雄大學
Place of Publication:	高雄市
Published:	國立高雄大學;
Year of Publication:	2022[民111]
Description:	x,65葉圖，表 : 30公分;
Subject:	氧化鎵
Subject:	Ga2O3
Online resource:	https://hdl.handle.net/11296/676pbs
Notes:	111年12月1日公開
Notes:	參考書目：葉62-65

氧化鎵阻障層應用於鉺摻雜氧化鋅鎂二極體研究 = Study of Ga2O3 Barrier Layer on Er Doped MgZnO Diode
應, 世偉

氧化鎵阻障層應用於鉺摻雜氧化鋅鎂二極體研究 = Study of Ga2O3 Barrier Layer on Er Doped MgZnO Diode / 應世偉撰 - 高雄市 : 國立高雄大學, 2022[民111]. - x,65葉 ; 圖，表 ; 30公分.
111年12月1日公開參考書目：葉62-65.
氧化鎵Ga2O3

氧化鎵阻障層應用於鉺摻雜氧化鋅鎂二極體研究 = Study of Ga2O3 Barrier Layer on Er Doped MgZnO Diode
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300 $a 參考書目：葉62-65
314 $a 指導教授：藍文厚博士
328 $a 碩士論文--國立高雄大學電機工程學系碩博士班
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博碩士論文區(二樓)

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學位論文

TH 008M/0019 542201 0042.1 2022

一般使用(Normal)

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博碩士論文區(二樓)

不外借資料

學位論文

TH 008M/0019 542201 0042.1 2022 c.2

一般使用(Normal)

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0

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https://hdl.handle.net/11296/676pbs

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