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N型負電容場效電晶體經退火後於不同閘極介電層厚度之電性分析及可靠度分析...

國立高雄大學電機工程學系碩博士班

N型負電容場效電晶體經退火後於不同閘極介電層厚度之電性分析及可靠度分析 = Study on Reliability and Performance of Annealed N-type NC-FET with Different Thickness Gate Dielectrics

Record Type:	Language materials, printed : monographic
Paralel Title:	Study on Reliability and Performance of Annealed N-type NC-FET with Different Thickness Gate Dielectrics
Author:	沈承浩,
Secondary Intellectual Responsibility:	國立高雄大學
Place of Publication:	高雄市
Published:	國立高雄大學;
Year of Publication:	2022[民111]
Description:	[17]，86葉圖，表 : 30公分;
Subject:	負電容場效電晶體
Subject:	NC-FET
Online resource:	https://hdl.handle.net/11296/7z523k
Notes:	111年12月1日公開
Notes:	參考書目：葉82-86

N型負電容場效電晶體經退火後於不同閘極介電層厚度之電性分析及可靠度分析 = Study on Reliability and Performance of Annealed N-type NC-FET with Different Thickness Gate Dielectrics
沈, 承浩

N型負電容場效電晶體經退火後於不同閘極介電層厚度之電性分析及可靠度分析 = Study on Reliability and Performance of Annealed N-type NC-FET with Different Thickness Gate Dielectrics / 沈承浩撰 - 高雄市 : 國立高雄大學, 2022[民111]. - [17]，86葉 ; 圖，表 ; 30公分.
111年12月1日公開參考書目：葉82-86.
負電容場效電晶體NC-FET

N型負電容場效電晶體經退火後於不同閘極介電層厚度之電性分析及可靠度分析 = Study on Reliability and Performance of Annealed N-type NC-FET with Different Thickness Gate Dielectrics
LDR:01297pam0a2200265 450 001 617300
005 20230106102039.0
010 0 $b 精裝
010 0 $b 平裝
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200 1 $a N型負電容場效電晶體經退火後於不同閘極介電層厚度之電性分析及可靠度分析 $d Study on Reliability and Performance of Annealed N-type NC-FET with Different Thickness Gate Dielectrics $z eng $f 沈承浩撰
210 $a 高雄市 $c 國立高雄大學 $d 2022[民111]
215 0 $a [17]，86葉 $c 圖，表 $d 30公分
300 $a 111年12月1日公開
300 $a 參考書目：葉82-86
314 $a 指導教授：李耀仁博士、陳春僥博士
328 $a 碩士論文--國立高雄大學電機工程學系碩博士班
510 1 $a Study on Reliability and Performance of Annealed N-type NC-FET with Different Thickness Gate Dielectrics $z eng
610 0 $a 負電容場效電晶體 $a 閘極環繞 $a 雷射退火 $a 微波退火 $a 金屬後退火 $a 正偏壓溫度不穩定性 $a 氧化鉿鋯
610 1 $a NC-FET $a GAA $a Laser annealing $a Microwave annealing $a PMA $a PBTI $a HZO
681 $a 008M/0019 $b 542201 3413 $v 2007年版
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856 4 $u https://hdl.handle.net/11296/7z523k $z 電子資源