MAPbI3摻雜CsPbI3量子點之氬電漿處理及其特性 = Argon ...
劉紹羽

 

  • MAPbI3摻雜CsPbI3量子點之氬電漿處理及其特性 = Argon plasma treatment of MAPbI3 doped CsPbI3 quantum dots and its properties
  • Record Type: Language materials, printed : monographic
    Paralel Title: Argon plasma treatment of MAPbI3 doped CsPbI3 quantum dots and its properties
    Author: 劉紹羽,
    Secondary Intellectual Responsibility: 國立高雄大學
    Place of Publication: 高雄市
    Published: 國立高雄大學;
    Year of Publication: 2022[民111]
    Description: 49葉圖,表 : 30公分;
    Subject: 鈣鈦礦
    Subject: perovskite
    Online resource: https://hdl.handle.net/11296/4nb89e
    Notes: 111年12月1日公開
    Notes: 參考書目:葉24-29
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310003027235 博碩士論文區(二樓) 不外借資料 學位論文 TH 008M/0019 423203 7221 2022 一般使用(Normal) On shelf 0
310003027243 博碩士論文區(二樓) 不外借資料 學位論文 TH 008M/0019 423203 7221 2022 c.2 一般使用(Normal) On shelf 0
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