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低通道損傷蝕刻技術應用P型奈米線電晶體的製作 = Low Channel...

國立高雄大學電機工程學系碩博士班

低通道損傷蝕刻技術應用P型奈米線電晶體的製作 = Low Channel Damage Etching Technology for the Fabrication of P-type Nanowire Transistors

Record Type:	Language materials, printed : monographic
Paralel Title:	Low Channel Damage Etching Technology for the Fabrication of P-type Nanowire Transistors
Author:	廖柏翰,
Secondary Intellectual Responsibility:	國立高雄大學
Place of Publication:	高雄市
Published:	國立高雄大學;
Year of Publication:	2022[民111]
Description:	xi,37葉圖，表 : 30公分;
Subject:	環繞式閘極電晶體
Subject:	GAAFET
Online resource:	https://hdl.handle.net/11296/ts2uk5
Notes:	111年12月1日公開
Notes:	參考書目：葉36-37

低通道損傷蝕刻技術應用P型奈米線電晶體的製作 = Low Channel Damage Etching Technology for the Fabrication of P-type Nanowire Transistors
廖, 柏翰

低通道損傷蝕刻技術應用P型奈米線電晶體的製作 = Low Channel Damage Etching Technology for the Fabrication of P-type Nanowire Transistors / 廖柏翰撰 - 高雄市 : 國立高雄大學, 2022[民111]. - xi,37葉 ; 圖，表 ; 30公分.
111年12月1日公開參考書目：葉36-37.
環繞式閘極電晶體GAAFET

低通道損傷蝕刻技術應用P型奈米線電晶體的製作 = Low Channel Damage Etching Technology for the Fabrication of P-type Nanowire Transistors
LDR:01178pam0a2200265 450 001 617336
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010 0 $b 精裝
010 0 $b 平裝
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200 1 $a 低通道損傷蝕刻技術應用P型奈米線電晶體的製作 $d Low Channel Damage Etching Technology for the Fabrication of P-type Nanowire Transistors $z eng $f 廖柏翰撰
210 $a 高雄市 $c 國立高雄大學 $d 2022[民111]
215 0 $a xi,37葉 $c 圖，表 $d 30公分
300 $a 111年12月1日公開
300 $a 參考書目：葉36-37
314 $a 指導教授：李耀仁博士，施明昌博士
328 $a 碩士論文--國立高雄大學電機工程學系碩博士班
510 1 $a Low Channel Damage Etching Technology for the Fabrication of P-type Nanowire Transistors $z eng
610 # 0 $a 環繞式閘極電晶體 $a 奈米線 $a 原子層蝕刻 $a 短通道效應 $a 元件良率
610 # 1 $a GAAFET $a Nanowire $a Atom Layer Etching $a Short Channel Effect $a yield
681 $a 008M/0019 $b 542201 0044 $v 2007年版
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856 4 # $u https://hdl.handle.net/11296/ts2uk5 $z 電子資源