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ICP蝕刻技術應用N型奈米線電晶體的製作 = ICP Etching T...

國立高雄大學電機工程學系碩博士班

ICP蝕刻技術應用N型奈米線電晶體的製作 = ICP Etching Technology for the Fabrication of N-type Nanowire Transistors

Record Type:	Language materials, printed : monographic
Paralel Title:	ICP Etching Technology for the Fabrication of N-type Nanowire Transistors
Author:	李奕蒼,
Secondary Intellectual Responsibility:	國立高雄大學
Place of Publication:	高雄市
Published:	國立高雄大學;
Year of Publication:	2022[民111]
Description:	ix,21葉圖，表 : 30公分;
Subject:	奈米線
Subject:	Nanowire
Online resource:	https://hdl.handle.net/11296/ytudv5
Notes:	111年12月1日公開
Notes:	參考書目：葉31-32

ICP蝕刻技術應用N型奈米線電晶體的製作 = ICP Etching Technology for the Fabrication of N-type Nanowire Transistors
李, 奕蒼

ICP蝕刻技術應用N型奈米線電晶體的製作 = ICP Etching Technology for the Fabrication of N-type Nanowire Transistors / 李奕蒼撰 - 高雄市 : 國立高雄大學, 2022[民111]. - ix,21葉 ; 圖，表 ; 30公分.
111年12月1日公開參考書目：葉31-32.
奈米線Nanowire

ICP蝕刻技術應用N型奈米線電晶體的製作 = ICP Etching Technology for the Fabrication of N-type Nanowire Transistors
LDR:01162pam0a2200265 450 001 617342
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010 0 $b 精裝
010 0 $b 平裝
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102 $a tw
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200 1 $a ICP蝕刻技術應用N型奈米線電晶體的製作 $d ICP Etching Technology for the Fabrication of N-type Nanowire Transistors $z eng $f 李奕蒼撰
210 $a 高雄市 $c 國立高雄大學 $d 2022[民111]
215 0 $a ix,21葉 $c 圖，表 $d 30公分
300 $a 111年12月1日公開
300 $a 參考書目：葉31-32
314 $a 指導教授：李耀仁博士，陳春僥博士
328 $a 碩士論文--國立高雄大學電機工程學系碩博士班
510 1 $a ICP Etching Technology for the Fabrication of N-type Nanowire Transistors $z eng
610 # 0 $a 奈米線 $a 環繞式閘極場效電晶體 $a 乾式蝕刻 $a 感應式耦合電漿 $a 短通道效應
610 # 1 $a Nanowire $a GAAFET $a Dry Etching $a Inductively Coupled Plasma $a Short channel effect
681 $a 008M/0019 $b 542201 4004 $v 2007年版
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712 0 2 $a 國立高雄大學 $b 電機工程學系碩博士班 $3 769000
801 0 $a tw $b NUK $c 20221017 $g CCR
856 4 # $u https://hdl.handle.net/11296/ytudv5 $z 電子資源