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低通道損傷蝕刻技術應用N型奈米線電晶體的製作 = Low Channel...

國立高雄大學電機工程學系碩博士班

低通道損傷蝕刻技術應用N型奈米線電晶體的製作 = Low Channel Damage Etching Technology for the Fabrication of N-type Nanowire Transistors

Record Type:	Language materials, printed : monographic
Paralel Title:	Low Channel Damage Etching Technology for the Fabrication of N-type Nanowire Transistors
Author:	許宏進,
Secondary Intellectual Responsibility:	國立高雄大學
Place of Publication:	高雄市
Published:	國立高雄大學;
Year of Publication:	2022[民111]
Description:	viii,33葉圖 : 30公分;
Subject:	環繞式閘極奈米線場效電晶體
Subject:	Gate-All-Around transistor
Online resource:	https://hdl.handle.net/11296/5753n4
Notes:	111年12月1日公開
Notes:	參考書目：葉32-33

低通道損傷蝕刻技術應用N型奈米線電晶體的製作 = Low Channel Damage Etching Technology for the Fabrication of N-type Nanowire Transistors
許, 宏進

低通道損傷蝕刻技術應用N型奈米線電晶體的製作 = Low Channel Damage Etching Technology for the Fabrication of N-type Nanowire Transistors / 許宏進撰 - 高雄市 : 國立高雄大學, 2022[民111]. - viii,33葉 ; 圖 ; 30公分.
111年12月1日公開參考書目：葉32-33.
環繞式閘極奈米線場效電晶體Gate-All-Around transistor

低通道損傷蝕刻技術應用N型奈米線電晶體的製作 = Low Channel Damage Etching Technology for the Fabrication of N-type Nanowire Transistors
LDR:01203pam0a2200265 450 001 617344
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010 0 $b 精裝
010 0 $b 平裝
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200 1 $a 低通道損傷蝕刻技術應用N型奈米線電晶體的製作 $d Low Channel Damage Etching Technology for the Fabrication of N-type Nanowire Transistors $z eng $f 許宏進撰
210 $a 高雄市 $c 國立高雄大學 $d 2022[民111]
215 0 $a viii,33葉 $c 圖 $d 30公分
300 $a 111年12月1日公開
300 $a 參考書目：葉32-33
314 $a 指導教授：李耀仁博士，陳春僥博士
328 $a 碩士論文--國立高雄大學電機工程學系碩博士班
510 1 $a Low Channel Damage Etching Technology for the Fabrication of N-type Nanowire Transistors $z eng
610 # 0 $a 環繞式閘極奈米線場效電晶體 $a 原子層蝕刻 $a 短通道效應 $a 奈米線效應
610 # 1 $a Gate-All-Around transistor $a Atomic layer etching $a Short channel effect $a Nanowire effect
681 $a 008M/0019 $b 542201 0833 $v 2007年版
700 1 $a 許 $b 宏進 $4 撰 $3 916824
712 0 2 $a 國立高雄大學 $b 電機工程學系碩博士班 $3 769000
801 0 $a tw $b NUK $c 20221017 $g CCR
856 4 # $u https://hdl.handle.net/11296/5753n4 $z 電子資源