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以超臨界二氧化碳流體技術改質多孔矽結構之研究 = The Study o...

國立高雄大學電機工程學系碩博士班

以超臨界二氧化碳流體技術改質多孔矽結構之研究 = The Study of Modification of Porous Silicon Structures by Supercritical Carbon Dioxide Fluid Technology

Record Type:	Language materials, printed : monographic
Paralel Title:	The Study of Modification of Porous Silicon Structures by Supercritical Carbon Dioxide Fluid Technology
Author:	郭立文,
Secondary Intellectual Responsibility:	國立高雄大學
Place of Publication:	高雄市
Published:	國立高雄大學;
Year of Publication:	2023[民112]
Description:	xi,98面圖,表 : 30公分;
Subject:	多孔矽
Subject:	porous silicon
Online resource:	https://handle.ncl.edu.tw/11296/xth8tb
Notes:	112年12月1日公開
Notes:	參考書目: 面86-93

以超臨界二氧化碳流體技術改質多孔矽結構之研究 = The Study of Modification of Porous Silicon Structures by Supercritical Carbon Dioxide Fluid Technology
郭, 立文

以超臨界二氧化碳流體技術改質多孔矽結構之研究 = The Study of Modification of Porous Silicon Structures by Supercritical Carbon Dioxide Fluid Technology / 郭立文撰 - 高雄市 : 國立高雄大學, 2023[民112]. - xi,98面 ; 圖,表 ; 30公分.
112年12月1日公開參考書目: 面86-93.
多孔矽porous silicon

以超臨界二氧化碳流體技術改質多孔矽結構之研究 = The Study of Modification of Porous Silicon Structures by Supercritical Carbon Dioxide Fluid Technology
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300 $a 參考書目: 面86-93
314 $a 指導教授: 馮瑞陽博士
328 $a 碩士論文--國立高雄大學電機工程學系碩博士班
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