國立高雄大學圖資館 |

語系: 繁體中文

登入

回首頁

切換: 標籤 | MARC模式 | ISBD

以超臨界二氧化碳流體技術改質多孔矽結構之研究 = The Study o...

國立高雄大學電機工程學系碩博士班

以超臨界二氧化碳流體技術改質多孔矽結構之研究 = The Study of Modification of Porous Silicon Structures by Supercritical Carbon Dioxide Fluid Technology

紀錄類型:	書目-語言資料,印刷品 : 單行本
並列題名:	The Study of Modification of Porous Silicon Structures by Supercritical Carbon Dioxide Fluid Technology
作者:	郭立文,
其他團體作者:	國立高雄大學
出版地:	高雄市
出版者:	國立高雄大學;
出版年:	2023[民112]
面頁冊數:	xi,98面圖,表 : 30公分;
標題:	多孔矽
標題:	porous silicon
電子資源:	https://handle.ncl.edu.tw/11296/xth8tb
附註:	112年12月1日公開
附註:	參考書目: 面86-93

以超臨界二氧化碳流體技術改質多孔矽結構之研究 = The Study of Modification of Porous Silicon Structures by Supercritical Carbon Dioxide Fluid Technology
郭, 立文

以超臨界二氧化碳流體技術改質多孔矽結構之研究 = The Study of Modification of Porous Silicon Structures by Supercritical Carbon Dioxide Fluid Technology / 郭立文撰 - 高雄市 : 國立高雄大學, 2023[民112]. - xi,98面 ; 圖,表 ; 30公分.
112年12月1日公開參考書目: 面86-93.
多孔矽porous silicon

以超臨界二氧化碳流體技術改質多孔矽結構之研究 = The Study of Modification of Porous Silicon Structures by Supercritical Carbon Dioxide Fluid Technology
LDR:01200pam0a2200277 450 001 637170
005 20240312154248.0
010 0 $b 精裝
010 0 $b 平裝
099 $a 111NUK00442009
100 $a 20230915y2023 k y0chiy50 e
101 0 $a chi $d chi $d eng
102 $a tw
105 $a ak am 000yy
200 1 $a 以超臨界二氧化碳流體技術改質多孔矽結構之研究 $d The Study of Modification of Porous Silicon Structures by Supercritical Carbon Dioxide Fluid Technology $z eng $f 郭立文撰
210 $a 高雄市 $c 國立高雄大學 $d 2023[民112]
215 0 $a xi,98面 $c 圖,表 $d 30公分
300 $a 112年12月1日公開
300 $a 參考書目: 面86-93
314 $a 指導教授: 馮瑞陽博士
328 $a 碩士論文--國立高雄大學電機工程學系碩博士班
510 1 $a The Study of Modification of Porous Silicon Structures by Supercritical Carbon Dioxide Fluid Technology $z eng
610 # 0 $a 多孔矽 $a 陽極氧化蝕刻 $a 超臨界流體 $a 二氧化碳
610 # 1 $a porous silicon $a anodization $a supercritical fluid $a carbon dioxide
681 $a 008M/0019 $b 542201 0700.1 $v 2007年版
700 1 $a 郭 $b 立文 $4 撰 $3 943567
712 0 2 $a 國立高雄大學 $b 電機工程學系碩博士班 $3 769000
801 0 $a tw $b NUK $c 20230915 $g CCR
856 4 # $u https://handle.ncl.edu.tw/11296/xth8tb $z 電子資源