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Al/SiO2/Si元件絕緣層厚度對光電流特性影響之研究 = The D...

吳奕頡

Al/SiO2/Si元件絕緣層厚度對光電流特性影響之研究 = The Dependence of the Photo Current of the Al/SiO2/Si MIS Device on the Thickness of the Dielectric Layer

Record Type:	Language materials, printed : monographic
Paralel Title:	The Dependence of the Photo Current of the Al/SiO2/Si MIS Device on the Thickness of the Dielectric Layer
Author:	吳奕頡,
Secondary Intellectual Responsibility:	國立高雄大學
Place of Publication:	高雄市
Published:	國立高雄大學;
Year of Publication:	2023[民112]
Description:	ix,54葉圖,表 : 30公分;
Subject:	MIS
Subject:	PhotoDetector
Online resource:	https://handle.ncl.edu.tw/11296/hrsbtb
Notes:	112年12月1日公開
Notes:	參考書目: 葉53-54

Al/SiO2/Si元件絕緣層厚度對光電流特性影響之研究 = The Dependence of the Photo Current of the Al/SiO2/Si MIS Device on the Thickness of the Dielectric Layer
吳, 奕頡

Al/SiO2/Si元件絕緣層厚度對光電流特性影響之研究 = The Dependence of the Photo Current of the Al/SiO2/Si MIS Device on the Thickness of the Dielectric Layer / 吳奕頡撰 - 高雄市 : 國立高雄大學, 2023[民112]. - ix,54葉 ; 圖,表 ; 30公分.
112年12月1日公開參考書目: 葉53-54.
MISPhotoDetector

Al/SiO2/Si元件絕緣層厚度對光電流特性影響之研究 = The Dependence of the Photo Current of the Al/SiO2/Si MIS Device on the Thickness of the Dielectric Layer
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010 0 $b 平裝
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300 $a 112年12月1日公開
300 $a 參考書目: 葉53-54
314 $a 指導教授: 施明昌博士
328 $a 碩士論文--國立高雄大學電機工程學系碩博士班
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610 # 0 $a MIS $a 光偵測器 $a 光響應 $a 絕緣層厚度
610 # 1 $a PhotoDetector $a Responsivity $a Insulation Thickness
681 $a 008M/0019 $b 542201 2604 $v 2007年版
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