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Al/SiO2/Si元件絕緣層厚度對光電流特性影響之研究 = The D...

吳奕頡

Al/SiO2/Si元件絕緣層厚度對光電流特性影響之研究 = The Dependence of the Photo Current of the Al/SiO2/Si MIS Device on the Thickness of the Dielectric Layer

紀錄類型:	書目-語言資料,印刷品 : 單行本
並列題名:	The Dependence of the Photo Current of the Al/SiO2/Si MIS Device on the Thickness of the Dielectric Layer
作者:	吳奕頡,
其他團體作者:	國立高雄大學
出版地:	高雄市
出版者:	國立高雄大學;
出版年:	2023[民112]
面頁冊數:	ix,54葉圖,表 : 30公分;
標題:	MIS
標題:	PhotoDetector
電子資源:	https://handle.ncl.edu.tw/11296/hrsbtb
附註:	112年12月1日公開
附註:	參考書目: 葉53-54

Al/SiO2/Si元件絕緣層厚度對光電流特性影響之研究 = The Dependence of the Photo Current of the Al/SiO2/Si MIS Device on the Thickness of the Dielectric Layer
吳, 奕頡

Al/SiO2/Si元件絕緣層厚度對光電流特性影響之研究 = The Dependence of the Photo Current of the Al/SiO2/Si MIS Device on the Thickness of the Dielectric Layer / 吳奕頡撰 - 高雄市 : 國立高雄大學, 2023[民112]. - ix,54葉 ; 圖,表 ; 30公分.
112年12月1日公開參考書目: 葉53-54.
MISPhotoDetector

Al/SiO2/Si元件絕緣層厚度對光電流特性影響之研究 = The Dependence of the Photo Current of the Al/SiO2/Si MIS Device on the Thickness of the Dielectric Layer
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300 $a 參考書目: 葉53-54
314 $a 指導教授: 施明昌博士
328 $a 碩士論文--國立高雄大學電機工程學系碩博士班
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