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對寬能隙半導體氧化鎵進行不同雜質添加之特性分析及元件製造 = Analy...
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國立高雄大學化學工程及材料工程學系碩士班
對寬能隙半導體氧化鎵進行不同雜質添加之特性分析及元件製造 = Analyses of Properties and Fabrications of Devices for Ga2O3 Wide Band-gap Semiconductor Thin Films with Different Dopants
紀錄類型:
書目-語言資料,印刷品 : 單行本
並列題名:
Analyses of Properties and Fabrications of Devices for Ga2O3 Wide Band-gap Semiconductor Thin Films with Different Dopants
作者:
陳國熏,
其他團體作者:
國立高雄大學
出版地:
高雄市
出版者:
國立高雄大學;
出版年:
2023[民112]
面頁冊數:
xiii,73葉圖,表 : 30公分;
標題:
氧化鎵
標題:
Gallium oxide
電子資源:
https://handle.ncl.edu.tw/11296/5cj35p
附註:
112年12月1日公開
附註:
參考書目: 葉69-73
對寬能隙半導體氧化鎵進行不同雜質添加之特性分析及元件製造 = Analyses of Properties and Fabrications of Devices for Ga2O3 Wide Band-gap Semiconductor Thin Films with Different Dopants
陳, 國熏
對寬能隙半導體氧化鎵進行不同雜質添加之特性分析及元件製造
= Analyses of Properties and Fabrications of Devices for Ga2O3 Wide Band-gap Semiconductor Thin Films with Different Dopants / 陳國熏撰 - 高雄市 : 國立高雄大學, 2023[民112]. - xiii,73葉 ; 圖,表 ; 30公分.
112年12月1日公開參考書目: 葉69-73.
氧化鎵Gallium oxide
對寬能隙半導體氧化鎵進行不同雜質添加之特性分析及元件製造 = Analyses of Properties and Fabrications of Devices for Ga2O3 Wide Band-gap Semiconductor Thin Films with Different Dopants
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指導教授: 陳文正博士, 楊證富博士
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碩士論文--國立高雄大學化學工程及材料工程學系碩士班
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博碩士論文區(二樓)
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310003062091
博碩士論文區(二樓)
不外借資料
學位論文
TH 008M/0019 541208 7562 2023
一般使用(Normal)
在架
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博碩士論文區(二樓)
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學位論文
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