對寬能隙半導體氧化鎵進行不同雜質添加之特性分析及元件製造 = Analy...
國立高雄大學化學工程及材料工程學系碩士班

 

  • 對寬能隙半導體氧化鎵進行不同雜質添加之特性分析及元件製造 = Analyses of Properties and Fabrications of Devices for Ga2O3 Wide Band-gap Semiconductor Thin Films with Different Dopants
  • 紀錄類型: 書目-語言資料,印刷品 : 單行本
    並列題名: Analyses of Properties and Fabrications of Devices for Ga2O3 Wide Band-gap Semiconductor Thin Films with Different Dopants
    作者: 陳國熏,
    其他團體作者: 國立高雄大學
    出版地: 高雄市
    出版者: 國立高雄大學;
    出版年: 2023[民112]
    面頁冊數: xiii,73葉圖,表 : 30公分;
    標題: 氧化鎵
    標題: Gallium oxide
    電子資源: https://handle.ncl.edu.tw/11296/5cj35p
    附註: 112年12月1日公開
    附註: 參考書目: 葉69-73
館藏
  • 2 筆 • 頁數 1 •
 
310003062091 博碩士論文區(二樓) 不外借資料 學位論文 TH 008M/0019 541208 7562 2023 一般使用(Normal) 在架 0
310003062109 博碩士論文區(二樓) 不外借資料 學位論文 TH 008M/0019 541208 7562 2023 c.2 一般使用(Normal) 在架 0
  • 2 筆 • 頁數 1 •
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