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對寬能隙半導體氧化鎵進行不同雜質添加之特性分析及元件製造 = Analy...

國立高雄大學化學工程及材料工程學系碩士班

對寬能隙半導體氧化鎵進行不同雜質添加之特性分析及元件製造 = Analyses of Properties and Fabrications of Devices for Ga2O3 Wide Band-gap Semiconductor Thin Films with Different Dopants

Record Type:	Language materials, printed : monographic
Paralel Title:	Analyses of Properties and Fabrications of Devices for Ga2O3 Wide Band-gap Semiconductor Thin Films with Different Dopants
Author:	陳國熏,
Secondary Intellectual Responsibility:	國立高雄大學
Place of Publication:	高雄市
Published:	國立高雄大學;
Year of Publication:	2023[民112]
Description:	xiii,73葉圖,表 : 30公分;
Subject:	氧化鎵
Subject:	Gallium oxide
Online resource:	https://handle.ncl.edu.tw/11296/5cj35p
Notes:	112年12月1日公開
Notes:	參考書目: 葉69-73

對寬能隙半導體氧化鎵進行不同雜質添加之特性分析及元件製造 = Analyses of Properties and Fabrications of Devices for Ga2O3 Wide Band-gap Semiconductor Thin Films with Different Dopants
陳, 國熏

對寬能隙半導體氧化鎵進行不同雜質添加之特性分析及元件製造 = Analyses of Properties and Fabrications of Devices for Ga2O3 Wide Band-gap Semiconductor Thin Films with Different Dopants / 陳國熏撰 - 高雄市 : 國立高雄大學, 2023[民112]. - xiii,73葉 ; 圖,表 ; 30公分.
112年12月1日公開參考書目: 葉69-73.
氧化鎵Gallium oxide

對寬能隙半導體氧化鎵進行不同雜質添加之特性分析及元件製造 = Analyses of Properties and Fabrications of Devices for Ga2O3 Wide Band-gap Semiconductor Thin Films with Different Dopants
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010 0 $b 平裝
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200 1 $a 對寬能隙半導體氧化鎵進行不同雜質添加之特性分析及元件製造 $d Analyses of Properties and Fabrications of Devices for Ga2O3 Wide Band-gap Semiconductor Thin Films with Different Dopants $z eng $f 陳國熏撰
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300 $a 112年12月1日公開
300 $a 參考書目: 葉69-73
314 $a 指導教授: 陳文正博士, 楊證富博士
328 $a 碩士論文--國立高雄大學化學工程及材料工程學系碩士班
510 1 $a Analyses of Properties and Fabrications of Devices for Ga2O3 Wide Band-gap Semiconductor Thin Films with Different Dopants $z eng
610 # 0 $a 氧化鎵 $a 摻雜 $a 電子束蒸鍍 $a 能隙 $a PN接面二極體
610 # 1 $a Gallium oxide $a Doping $a Electron Beam Evaporation $a Energy gap $a P-N junction diode
681 $a 008M/0019 $b 541208 7562 $v 2007年版
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