有關三閘極金半場效電晶體和三閘極具負交疊通道金氧半場效電晶體之次臨界行為...
國立高雄大學電機工程學系碩博士班

 

  • 有關三閘極金半場效電晶體和三閘極具負交疊通道金氧半場效電晶體之次臨界行為與其應用於次臨界邏輯電路之解析模型 = Analytical Subthreshold Behavior Model of Triple-Gate MESFETs and Triple-Gate Underlap MOSFETs and Its Application for the Evaluation of Subthreshold Logic Gate
  • 紀錄類型: 書目-語言資料,印刷品 : 單行本
    並列題名: Analytical Subthreshold Behavior Model of Triple-Gate MESFETs and Triple-Gate Underlap MOSFETs and Its Application for the Evaluation of Subthreshold Logic Gate
    作者: 鍾侑廷,
    其他團體作者: 國立高雄大學
    出版地: 高雄市
    出版者: 國立高雄大學;
    出版年: 2023[民112]
    面頁冊數: x,100葉圖 : 30公分;
    標題: 次臨界行為
    標題: Subthreshold behavior
    電子資源: https://handle.ncl.edu.tw/11296/75t5m3
    附註: 112年12月1日公開
    附註: 參考書目: 葉97-98
館藏
  • 2 筆 • 頁數 1 •
 
310003062554 博碩士論文區(二樓) 不外借資料 學位論文 TH 008M/0019 542201 8221 2023 一般使用(Normal) 在架 0
310003062562 博碩士論文區(二樓) 不外借資料 學位論文 TH 008M/0019 542201 8221 2023 c.2 一般使用(Normal) 在架 0
  • 2 筆 • 頁數 1 •
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